SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Продукция

4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности
материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий
тип вафли вафель 2inch InAs N типа ООН-данный допинг GaSb вафель GaAs
ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD
ранг продукции вафель 4inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD
Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления
Рубин Кристл твердости 9,0 Кристл имперского голубого самоцвета сапфира искусственный
Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального
GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций
AlN на эпитаксиальных пленках AlN вафель шаблона диаманта на субстрате диаманта
2 / Части сапфира 3 дюймов, температура толщины субстрата 0.4мм сапфира высокая работая
форма стекла сапфирового стекла оси к прямоугольника 100кс100мм подгонянная объективом
Одиночной сапфир отполированный стороной разделяет вафли субстрата кристаллов Ал2О3 для Эпи - подготавливайте
Вафля BF33 сапфира Dia 200mm синтетическая для плиты несущей полупроводника GaAs
Ультратонкая плита субстрата сапфира Semicondutor Al2O3 для системы лазера
Сапфир оптически Виндовс стекла дозора, сапфир штанги длина 1 до 200 Мм

2 3 4 5 Последний Общее 18 Страницы