Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596
Дом > ПРОДУКТЫ > Вафля нитрида галлия >
8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы
  • 8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы
  • 8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы
  • 8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы
  • 8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы

8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы

Место происхождения Китай
Фирменное наименование ZMSH
Сертификация rohs
Номер модели GaN-НА-кремний 6/8/12INCH
Детали продукта
Чистота:
990,9%
Применение:
низкотемпературные сплавы
Никаких.:
247-129-0
Стандарты классов:
Промышленный класс
МФ:
GaN
CAS No.:
25617-97-4
Высокий свет: 

Промышленная вафля Si Epi ранга

,

Вафля GaN Si Epi

,

Субстраты нитрида алюминия RF силы

Характер продукции

8 дюймов 12 дюймов 6 дюймов GAN-ON-SI EPI-WAFERS для для мощности RF светодиодных приложений

 

ГаН эпитаксиальная пластина (GaN EPI на Кремниевом)
Галлиевый нитрид (GaN) широко используется в силовых устройствах и диодах, излучающих голубой свет, из-за его широкого энергетического разрыва.


Введение
Для удовлетворения этих потребностей необходимо увеличить энергосбережение и достичь прогресса в информационных и коммуникационных системах.мы разработали полупроводниковый субстрат с широким диапазоном с нитридом галлия (GaN) в качестве полупроводникового материала следующего поколения.
Концепция: выращивая однокристаллические тонкие пленки GaN на кремниевых подложках, мы можем производить большие, недорогие полупроводниковые подложки для устройств следующего поколения

.
Цель: для бытовой техники: коммутаторы и инверторы с отказовым напряжением в сотнях. для базовых станций мобильной связи: высокомощные и высокочастотные транзисторы.
Преимущества: наши кремниевые субстраты дешевле выращивать GaN, чем другие карбиды кремния или сапфировые субстраты, и мы можем предоставить устройства GaN, адаптированные к требованиям клиентов.


Глоссарий
разрыв в широкой полосе
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors)Широкополосный материал с хорошей оптической прозрачностью и высоким электрическим разрывом напряжения


Гетеросоединение
Как правило, в полупроводниковой области относительно тонкие пленки полупроводниковых материалов с различным составом накладываются друг на друга.В случае смешанных кристалловБлагодаря этим интерфейсам создается слой двумерного электронного газа с высокой мобильностью электронов.

 

Спецификации голубых GaN-on-Si LED Epi-вофров
ZMSH Semiconductor стремится производить GaN LED эпивоферы на Si субстратах с различными
Размер пластины от 100 до 200 мм. Качество пластины соответствует следующим характеристикам:
 
8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы 0
8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы 1
Мы стремимся обеспечить высококачественные GaN-эпивоферы для использования в электротехнике, радиочастоте и микроэлектрических лампах.
 
История • Основана в 2012 году как чистое эпилитейное предприятие по производству вафль GaN
Технология • Патентованная технология, охватывающая инженерию подложки, конструкцию буфера, активную область
оптимизация для высококачественных, плоских и свободных от трещин эпиструктур.
 
• Основные члены технической команды имеют более 10-летний опыт работы в области GaN
Мощность
• Чистая комната класса 1000 площадью 3300 м2
• 200 тыс. шт. в год для 150мм эпиваферов GaN
Продукт
Различие
• GaN-on-Si (до 300 мм)
• GaN-on-SiC (до 150 мм)
• GaN-on-HR_Si (до 200 мм)
• ГаН на сапфире (до 150 мм)
• GaN-на-GaN
IP & Quality • ~400 патентов, зарегистрированных в Китае, США, Японии и т.д.
с предоставлением > 100
• Лицензия на ~ 80 патентов от imec
• Сертификат ISO9001:2015 для проектирования и
производство GaN-эпи материала

Порекомендованные продукты

Свяжитесь мы в любое время

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, бульвар Dianshanhu, зона Qingpu, город Шанхая, КИТАЙ
Отправьте ваше дознание сразу в нас