Главная страница Продукция Вафля нитрида галлия

4" вафля нитрида галлия

Все продукты

Вафля нитрида галлия (35)

Вафля сапфира (88)

Субстрат SiC (132)

Сапфир оптически Виндовс (77)

Кремниевая пластина ИК (22)

Синтетический сапфир штанга (13)

Плита плавленного кварца (40)

Части сапфира (114)

Синтетическая драгоценная камень (72)

Оборудование полупроводника (55)

Вафля LiNbO3 (18)

Вафля GaAs (24)

Вафля фосфида индия (34)

керамический субстрат (25)

Оболочка лаборатории (31)

Оставьте нам сообщение

4" вафля нитрида галлия

Большие изображения : 4" вафля нитрида галлия

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	КИТАЙ
Фирменное наименование:	zmkj
Номер модели:	шаблон 2-4инч ГаН

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	2пк
Цена:	by case
Упаковывая детали:	одиночный случай вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки:	2-4векс
Условия оплаты:	Л/К, Т/Т

контакт

Подробное описание продукта

Материал:	слой на вафле сапфира	Метод:	ХВПЭ
Размер:	2inch, 4inch	Толщина:	430+15ум или 650ум
Индустрия:	Приведенный ЛД, прибор лазера, детектор,	Поверхность:	двойная или одиночная отполированная сторона
Выделить:	4" вафля нитрида галлия , Вафля нитрида галлия HVPE , вафля нитрида галлия 650um

UVC субстраты СИД EPI наслаивают вафлю шаблона AlN нитрида галлия 2inch, 4inch на сапфире или субстратов sic,

Вафля нитрида галлия HVPE, шаблоны AlN

III-нитрид (GaN, AlN, гостиница)

Запрещенная крышка ширины связи (светоиспускающой и абсорбции) ультрафиолетовый луч, видимый свет и инфракрасный.

Продукт

Фильм нитрида алюминия (AlN)

Характер продукции:

AllN Epitxial предложило модельный метод эпитаксии участка пара гидрида saphhire (HVPE). Фильм нитрида алюминия также рентабельный путь заменить субстрат нитрида алюминия одиночный кристаллический. Ветвь Кристл задушевно приветствует ваше дознание!

Технические параметры:

Размер	± 2mm 50mm
Ориентация субстрата сапфира	± 1.0deg c-оси (0001)
Плотность дефекта макроса	<5cm-2>
Доступная поверхностная область	90%
Поверхностное покрытие раньше	Как выросли Epi-готовый
Контейнер	Одиночный обломок

Спецификации:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 «x1mm;

Смогите быть подгоняно согласно ориентации и размеру покупательского спроса особенным.

Стандартная упаковка:

чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки

Спецификации:

	4" шаблоны AlN	размер 2-4inch также ок
Деталь	AlN-T
Размеры	Ф 100±0.3mm
Субстрат	Сапфир, SiC, GaN
Толщина	1000nm+/- 10% (толщина AlN)
Ориентация	± 1° C-оси (0001)
Тип кондукции	Полу-изолировать
Плотность дислокации	XRD FWHM (0002) < 200="" arcsec="">
	XRD FWHM (10-12) < 1000="" arcsec="">
Годная к употреблению поверхностная область	> 80%
Полировать	Стандарт: SSP
	Вариант: DSP
Пакет	Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах 25pcs или одиночных контейнеров вафли, под атмосферой азота. или одиночные кассеты.

Другой размер aslike 5x5mm, 10x10mm, 2inch, 3inch также можно подгонять.

4" вафля нитрида галлия 0

Применение:

4" вафля нитрида галлия 1

4" вафля нитрида галлия 2

4" вафля нитрида галлия 3

4" вафля нитрида галлия 4

О нашей команде

ZMKJ размещает в городе Шанхая, который самый лучший город Китая,

и наша фабрика основана в городе Wuxi в 2014, но в материале полупроводника,

имейте хороший опыт для почти 10years.
Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и custiomized оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, оптической электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР.
Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими reputatiaons.

4" вафля нитрида галлия 5

тег:

Контактное лицо: Mr. Wang

Телефон: +8615801942596