Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

4-дюймовые подложки из арсенида галлия вафель GaAs типа DSP N типа P

Наименование марки:	zmsh
Номер модели:	Вафля 6INCH GaAs
MOQ:	10pcs
цена:	by case
Время доставки:	1-4weeks

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

КИТАЙ

Сертификация:

ROHS

Материал:

Монокристалл GaAs

индустрия:

приведенная вафля semicondutor для ld или

Применение:

субстрат полупроводника, привел обломок, оптически стеклянное окно, субстраты прибора

метод:

Размер:

2inch~6inch

Толщина:

0.425mm

Поверхность:

cmp/вытравленный

данный допинг:

Si-данный допинг

MOQ:

10PCS

Ранг:

ранг исследования/фиктивная ранг

Упаковывая детали:

Фильм ЛЮБИМЦА в комнате чистки 100 рангов

Поставка способности:

500PCS/Month

Выделить:

вафли 4inch GaAs

Субстраты арсенида галлия DSP

Вафли GaAs прибора лазера

Характер продукции

субстраты DSP арсенида галлия вафель 4Inch GaAs
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Вафля GaAs

Арсенид галлия (GaAs) одно из важного и зрелыйⅢ - материалы сложного полупроводника Ⅴ, которое широко использовано в поле оптической электроники и микроэлектроники. Материалы арсенида галлия главным образом разделены в 2 категории: полу-изолированные материалы арсенида галлия и материалы арсенида галлия полупроводника. Полу-изолированные материалы арсенида галлия главным образом использованы для произведения интегральных схема со структурами MESFET, HEMT и HBT. Главным образом использованный в радиолокаторе, связи волны микроволны и миллиметра, ультравысокой связи компьютера скорости и стекловолокна и других полях. Материалы арсенида галлия полупроводника главным образом использованы в лазерах полупроводника (LD), диодах полупроводника светоизлучающих (СИД), близко-ультракрасных лазерах, суммы лазерах хорошо высокомощных и фотоэлементах высокой эффективности.

Деталь спецификации

Тип/导电类型/掺杂元素 Dopant	Полу-изолированный	P-Type/Zn	N-Type/Si	N-Type/Si
应用 применения	Микро- Eletronic	СИД		Лазерный диод
长晶方式 метода роста	VGF
直径 диаметра	2", 3", 4", 6"
晶向 ориентации	(100) ±0.5°
厚度 толщины (µm)	350-625um±25um
参考边 OF/IF	США EJ или зазубрина
载流子浓度 концентрации несущей	-	(0.5-5) *1019	(0.4-4) *1018	(0.4-0.25) *1018
电阻率 резистивности (ом-см)	>107	(1.2-9.9) *10-3	(1.2-9.9) *10-3	(1.2-9.9) *10-3
电子迁移率 подвижности (cm2/V.S.)	>4000	50-120	>1000	>1500
Вытравите 位错密度 плотности тангажа (/cm2)	<5000>	<5000>	<5000>	<500>
平整度 TTV [P/P] (µm)	<5>
平整度 TTV [P/E] (µm)	<10>
翘曲度 искривления (µm)	<10>
Поверхностное законченное 表面加工	P/P, P/E, E/E

4-дюймовые подложки из арсенида галлия вафель GaAs типа DSP N типа P 0

О НАШЕМ ZMKJ

ZMKJ размещает в городе Шанхая, который самый лучший город Китая, и наша фабрика основана

в городе Wuxi в 2014.We специализируйте в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты

и custiomized оптически стекло parts.components широко используемое в электронике, оптике,

оптическая электроника и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных

и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты

и обслуживания для их проектов НИОКР.

Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашим

хорошие reputatiaons. так мы также можем обеспечить некоторые другие субстраты материалов как подобие:

Родственные продукты: Вафля Ge

Упаковка – Logistcs
Заботы Worldhawk по каждому детализируют пакета, чистки, противостатической, шоковой терапии.
Согласно количеству и форме продукта, мы примем различный упаковывая процесс!

вопросы и ответы –
Q: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы принимаем DHL, Federal Express, TNT, UPS, EMS, SF и FOB

и состояние оплаты депозита 50%, 50% перед доставкой.

Q: Что срок поставки?
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 рабочей недели после заказа.

Q: Что MOQ?
(1) для инвентаря, MOQ 5pcs.
(2) для подгонянных продуктов, MOQ 10pcs-30pcs.
Q: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.

Бирки:

GaAs лазерная эпитаксиальная пластина галлиевой арсенидной пластинки VCSEL/PD экспитаксиальная пластина для интеллектуального обнаружения

Получите самую лучшую цену

GaP полуизолированные пластинки P тип N тип 400um 500um Зеленый светодиод Красный Зеленый свет

Получите самую лучшую цену

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Подробная информация о продукции

4-дюймовые подложки из арсенида галлия вафель GaAs типа DSP N типа P

вафли 4inch GaAs

Субстраты арсенида галлия DSP

Вафли GaAs прибора лазера

вафля арсенида индия

вафля гаас

субстрат лаало3

GaAs лазерная эпитаксиальная пластина галлиевой арсенидной пластинки VCSEL/PD экспитаксиальная пластина для интеллектуального обнаружения

GaP полуизолированные пластинки P тип N тип 400um 500um Зеленый светодиод Красный Зеленый свет