logo

6 Inch SiC As-Cut Wafer – Raw-Cut Unpolished Silicon Carbide Wafer

Субстрат SiC
2026-10-26
теперь говорите
Our 6 Inch SiC As-Cut Wafer is produced directly from high-quality silicon carbide crystal ingots through precision wire slicing. The wafer retains the original as-cut surface condition without ... Взгляд больше
Сообщения посетителя ВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
6 Inch SiC As-Cut Wafer – Raw-Cut Unpolished Silicon Carbide Wafer
6 Inch SiC As-Cut Wafer – Raw-Cut Unpolished Silicon Carbide Wafer
теперь говорите
Выучите больше
Похожие видео
Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники 00:04

Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники

Субстрат SiC
2026-01-05
Промышленные подложки из карбида кремния (SiC) 6H для высокотемпературной, ультрафиолетовой и прецизионной электроники 00:04

Промышленные подложки из карбида кремния (SiC) 6H для высокотемпературной, ультрафиолетовой и прецизионной электроники

Субстрат SiC
2026-01-05
4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники 00:04

4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники

Субстрат SiC
2026-01-05
Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS 00:15

Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS

Субстрат SiC
2025-10-11
Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость 00:12

Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость

Субстрат SiC
2025-09-04
Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники 00:11

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Субстрат SiC
2025-07-31
вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC 00:12

вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Субстрат SiC
2022-10-28
Силиконовый карбид 8 дюймов 200 мм полировка субстрат полупроводники 00:12

Силиконовый карбид 8 дюймов 200 мм полировка субстрат полупроводники

Субстрат SiC
2024-06-26
3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты 00:10

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Субстрат SiC
2024-04-11
4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость 00:06

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Субстрат SiC
2024-08-27
4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса 00:10

4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса

Субстрат SiC
2025-09-26
Высокая теплопроводность сапфировый субстрат для рассеивания тепла полупроводников 310*310 00:25

Высокая теплопроводность сапфировый субстрат для рассеивания тепла полупроводников 310*310

Части сапфира
2026-06-08
Сапфировая трубка EFG – высокоэффективное оптическое и промышленное применение 00:12

Сапфировая трубка EFG – высокоэффективное оптическое и промышленное применение

Части сапфира
2026-01-29
Прецизионные сапфировые трубки – полированный наружный и шлифованный внутренний диаметр для оптических, жидкостных и полупроводниковых приборов 00:15

Прецизионные сапфировые трубки – полированный наружный и шлифованный внутренний диаметр для оптических, жидкостных и полупроводниковых приборов

Части сапфира
2026-03-23
Изготовленный на заказ сапфировый треугольный компонент с высокоточным сквозным отверстием 00:12

Изготовленный на заказ сапфировый треугольный компонент с высокоточным сквозным отверстием

Части сапфира
2026-03-23