logo

Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники

Субстрат SiC
2026-01-05
8 мнения
теперь говорите
Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники Обзор продукта: Силиконовый карбид (SiC) прямоугольный субстрат - это передовой однокристаллический полупроводниковый матери... Взгляд больше
Сообщения посетителя ВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники
Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники
теперь говорите
Выучите больше
Похожие видео
Промышленные подложки из карбида кремния (SiC) 6H для высокотемпературной, ультрафиолетовой и прецизионной электроники 00:04

Промышленные подложки из карбида кремния (SiC) 6H для высокотемпературной, ультрафиолетовой и прецизионной электроники

Субстрат SiC
2026-01-05
4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники 00:04

4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники

Субстрат SiC
2026-01-05
Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS 00:15

Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS

Субстрат SiC
2025-10-11
Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость 00:12

Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость

Субстрат SiC
2025-09-04
Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники 00:11

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Субстрат SiC
2025-07-31
вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC 00:12

вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Субстрат SiC
2022-10-28
Силиконовый карбид 8 дюймов 200 мм полировка субстрат полупроводники 00:12

Силиконовый карбид 8 дюймов 200 мм полировка субстрат полупроводники

Субстрат SiC
2024-06-26
4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса 00:10

4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса

Субстрат SiC
2025-09-26
3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты 00:10

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Субстрат SiC
2024-04-11
4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость 00:06

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Субстрат SiC
2024-08-27
Сапфировая трубка EFG – высокоэффективное оптическое и промышленное применение 00:12

Сапфировая трубка EFG – высокоэффективное оптическое и промышленное применение

Части сапфира
2026-01-29
Прецизионные сапфировые трубки – полированный наружный и шлифованный внутренний диаметр для оптических, жидкостных и полупроводниковых приборов 00:15

Прецизионные сапфировые трубки – полированный наружный и шлифованный внутренний диаметр для оптических, жидкостных и полупроводниковых приборов

Части сапфира
2026-03-23
Изготовленный на заказ сапфировый треугольный компонент с высокоточным сквозным отверстием 00:12

Изготовленный на заказ сапфировый треугольный компонент с высокоточным сквозным отверстием

Части сапфира
2026-03-23
Созданное в лаборатории колье с рубином цвета «голубиной крови» – настраиваемые размеры, изысканная огранка 00:11

Созданное в лаборатории колье с рубином цвета «голубиной крови» – настраиваемые размеры, изысканная огранка

Синтетическая драгоценная камень
2026-03-23
Изготовленный на заказ сапфировый ступенчатый компонент – высокоточная оптическая и механическая деталь для полупроводникового и промышленного применения 00:11

Изготовленный на заказ сапфировый ступенчатый компонент – высокоточная оптическая и механическая деталь для полупроводникового и промышленного применения

Части сапфира
2026-03-23