

Дом

О США

Направление компании

Путешествие фабрики

Проверка качества

Часто задаваемые вопросы

ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

решения

Блог

Свяжитесь мы

Покупки

цитата

Рекомендую вам эти видео

Повторить

Следующее видео

Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chip for Advanced Electronics

Субстрат SiC

2025-12-09

теперь говорите

Поделиться

#вафля сик #субстрат сик #субстрат кремниевого карбида

Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chip for Advanced Electronics Product Overview: The Silicon Carbide (SiC) rectangle substrate is an advanced single-crystal semiconductor material designed to ... Взгляд больше

Сообщения посетителя ВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ

Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chip for Advanced Electronics

Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chip for Advanced Electronics

теперь говорите

Выучите больше

Похожие видео

Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics

Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics

Субстрат SiC

4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics

4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics

Субстрат SiC

Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS

Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS

Субстрат SiC

Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость

Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость

Субстрат SiC

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Субстрат SiC

вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Субстрат SiC

Силиконовый карбид (SiC) субстрат 6 дюймовый 8 дюймовый тестовый вафли для лазерной резки

Силиконовый карбид (SiC) субстрат 6 дюймовый 8 дюймовый тестовый вафли для лазерной резки

Субстрат SiC

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Субстрат SiC

4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса

4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса

Субстрат SiC

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Субстрат SiC

Sapphire Block Al₂O₃ Precision Cutting Customizable Sizes for Optics & Semiconductors

Sapphire Block Al₂O₃ Precision Cutting Customizable Sizes for Optics & Semiconductors

Вафля сапфира

Рубиновые ювелирные подшипники (Al2O3) для прецизионных инструментов и часов

Рубиновые ювелирные подшипники (Al2O3) для прецизионных инструментов и часов

Части сапфира

Кварцевый слиток для оптических, полупроводниковых и высокотемпературных применений

Кварцевый слиток для оптических, полупроводниковых и высокотемпературных применений

Плита плавленного кварца

2-inch DSP Sapphire Wafer 200 µm Al₂O₃ for LED & Optical Applications

2-inch DSP Sapphire Wafer 200 µm Al₂O₃ for LED & Optical Applications

Вафля сапфира

4-inch C-Plane SSP Sapphire Substrate Al₂O₃ for LED & Optical Applications

4-inch C-Plane SSP Sapphire Substrate Al₂O₃ for LED & Optical Applications

Вафля сапфира