4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics Product Overview The 4H-SiC Substrate is a high-purity, single-crystal silicon carbide material designed for ...Взгляд больше
Сообщения посетителяВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
Пока нет комментариев
4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics