6H SiC субстраты промышленного класса для высокотемпературной, УФ и точной электроники Обзор продукции Субстраты из карбида кремния 6H (SiC) представляют собой высококачественные однокристаллические п...Взгляд больше
Сообщения посетителяВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
Пока нет комментариев
Промышленные подложки из карбида кремния (SiC) 6H для высокотемпературной, ультрафиолетовой и прецизионной электроники