4° Снаружи оси СиС субстрат 2 дюйма Приложения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина Описание продукта: Субстрат SiC также имеет шероховатость поверхности Ra < 0,5 нм, что важно для примене...Взгляд больше
Сообщения посетителяВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
Пока нет комментариев
4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина