Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

Наименование марки:	ZMSH
Номер модели:	Индивидуальный лоток SiC
MOQ:	25
Цена:	Fluctuates with market
Время доставки:	2-4 недели
Условия оплаты:	Т/Т

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Шанхай, Китай

Материал:

Карбид кремния

Тип продукта:

Сик Трей

Форма:

Круглый, Пластинчатый, На заказ

Размер:

Индивидуальные

Толщина:

Индивидуальные

Поверхностная обработка:

шлифовка или полировка

Рабочая температура:

≤1600°С

Приложение:

Обработка полупроводниковых пластин, CVD/PECVD, высокотемпературная обработка

Характер продукции

Product Information A Silicon Carbide (SiC) Tray is a high-performance precision ceramic carrier designed for semiconductor wafer processing, high-temperature thermal processing, CVD/PECVD systems, vacuum furnaces, and other demanding industrial environments. Its main functions include: Supporting wafers and process components Positioning wafers during processing Wafer transfer and handling Supporting components during high-temperature processes Serving as a precision ceramic

Бирки:

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs