logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso.
Субстрат SiC
Created with Pixso. Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширения

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширения

Наименование марки: ZMSH
Номер модели: Индивидуальный лоток SiC
MOQ: 25
Цена: Fluctuates with market
Время доставки: 2-4 недели
Условия оплаты: Т/Т
Подробная информация
Место происхождения:
Шанхай, Китай
Материал:
Карбид кремния
Тип продукта:
Сик Трей
Форма:
Круглый, Пластинчатый, На заказ
Размер:
Индивидуальные
Толщина:
Индивидуальные
Поверхностная обработка:
шлифовка или полировка
Рабочая температура:
≤1600°С
Приложение:
Обработка полупроводниковых пластин, CVD/PECVD, высокотемпературная обработка
Выделить:

Керамический поддон CVD SiC с плоскими канавками

,

Поддон SSiC с высокой теплопроводностью

,

Подложка SiC с низким тепловым расширением

Характер продукции

Информация о продукте

      Лоток из карбида кремния (SiC) — это высокопроизводительный прецизионный керамический держатель, разработанный для обработки полупроводниковых пластин, высокотемпературной термической обработки, систем CVD/PECVD, вакуумных печей и других требовательных промышленных сред.

Его основные функции включают:

  • Поддержка пластин и технологических компонентов
  • Позиционирование пластин во время обработки
  • Передача и обработка пластин
  • Поддержка компонентов во время высокотемпературных процессов
  • Служит прецизионным керамическим компонентом в полупроводниковом оборудовании

      Наш общедоступный продукт — лоток для пластин из SiC — предназначен для обработки полупроводниковых пластин, систем CVD/PECVD, вакуумных печей и высокотемпературных промышленных применений. В зависимости от применения может использоваться SiC высокой чистоты CVD или SSiC.   





Производственный процесс
 

      Фактический производственный процесс варьируется в зависимости от системы материалов SiC и требований к применению. Типичный производственный маршрут включает:
 

1. Выбор и подготовка сырья
      CVD SiC, SSiC или другой подходящий материал SiC выбирается в соответствии с требованиями к чистоте и применению.

↓

2. Формование / подготовка заготовки

↓

3. Спекание / уплотнение

↓

4. Прецизионная механическая обработка
      Используется обработка на станках с ЧПУ и шлифовка для достижения требуемых размеров, монтажных отверстий, пазов и конструктивных элементов.

↓

5. Шлифовка / полировка
      Функциональные поверхности могут быть прецизионно отшлифованы, притерты или отполированы в соответствии с требованиями к применению.

↓

6. Очистка и инспекция

↓

7. Защитная упаковка и отгрузка
      Наша общедоступная информация о продукте определяет формование, спекание и прецизионную механическую обработку на станках с ЧПУ как часть производственного маршрута, а также перечисляет прецизионную шлифовку/полировку как доступные методы отделки.                                       Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширения



Ключевые особенности


1. Отличная стабильность при высоких температурах
≤1600°C, хотя фактическая температурная способность зависит от конкретной марки SiC и технологической среды.

 

2. Отличная теплопроводность
      SiC обладает высокой теплопроводностью, способствуя эффективной теплопередаче и более равномерному распределению температуры.     
                                                                                                         
Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширенияCustomized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширения

 


















3. Отличная стойкость к термическому удару
      Он хорошо подходит для применений, связанных с повторяющимися циклами нагрева и охлаждения.
 

4. Высокая механическая прочность
      Керамика SiC обеспечивает высокую механическую прочность и жесткость, помогая поддерживать стабильность размеров при длительной эксплуатации при высоких температурах.
 

5. Химическая стойкость и стойкость к плазме
      SiC обеспечивает хорошую химическую стабильность и стойкость в требовательных полупроводниковых средах, связанных с агрессивными газами и плазмой.
 

6. Прецизионная механическая обработка
      Лоток может быть обработан в соответствии с чертежами заказчика, включая размеры, пазы, отверстия и сложные конструкции, с возможностью шлифовки или полировки в соответствии с требованиями к применению.

 7. Полностью настраиваемый

  • Диаметр

  • Толщина

  • Пазы

  • Монтажные отверстия

  • Структура

  • Обработка поверхности

      Ваша общедоступная страница продукта явно поддерживает настройку OEM/ODM на основе чертежей заказчика или требований к применению.


​
Ключевые характеристики

 Параметр  Проверенная спецификация
 Название продукта  Лоток из SiC / Пользовательский лоток из карбида кремния
 Материал CVD SiC / SSiC / RBSiC*
 Чистота До 99,9%
 Рабочая температура ≤1600°C
 Плотность 2,3–3,9 г/см³
 Стойкость к термическому удару Отличная
 Обработка поверхности Прецизионная шлифовка / Полировка
 Форма Круглая / Кольцевая / Пластина / Пользовательская
 Размер Индивидуальный
 Толщина Индивидуальный
 Геометрия пазов Индивидуальный
 Монтажные отверстия Индивидуальный
 Структура Плоская / С канавками / Перфорированная / Сложная пользовательская
 Настройка OEM / ODM
 Применения Полупроводник / CVD / Печь

     

      Мы можем подбирать материалы в зависимости от требований заказчика к температуре, атмосфере, чистоте и контролю загрязнений.


Применения
1.Производство полупроводников:
      Используется для поддержки, переноски, транспортировки и высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин.

2. Обработка CVD / PECVD:
      Подходит для систем обработки CVD и PECVD.

3. Диффузия, окисление и отжиг:
      Используется в процессах диффузии, окисления и высокотемпературного отжига пластин.

4. Обработка RTP / Эпитаксии
      Применимо к выбранным системам обработки RTP и эпитаксии.
Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширения


5. Светодиоды и оптоэлектроника
      Применения включают обработку сапфировых пластин, системы носителей для эпитаксии светодиодов и поддержку подложек при высоких температурах.

6. Вакуумная и термическая печь
      Используется в качестве лотков для спекания при высоких температурах, носителей для вакуумных печей и приспособлений для термической обработки.

7. Порошковая металлургия и передовые материалы
      Помимо полупроводниковых применений, лотки из SiC также могут использоваться в порошковой металлургии, спекании передовой керамики и термической обработке аккумуляторных материалов.


 

FAQ
В1. Для чего используется лоток из SiC?
      Он в основном используется для поддержки, переноски, позиционирования и обработки пластин или других компонентов в высокотемпературных полупроводниковых процессах, таких как CVD, PECVD, диффузия, окисление, отжиг и RTP.

В2. Можно ли настроить лоток из SiC?
      Да. Размеры, толщина, форма, геометрия пазов, монтажные отверстия и сложные конструкции могут быть настроены в соответствии с чертежами заказчика и требованиями к применению.

В3. Какие варианты материалов доступны?
      Опубликованный ассортимент продукции включает CVD SiC, SSiC и RBSiC. Соответствующий материал должен выбираться в зависимости от чистоты, рабочей температуры, технологической атмосферы, требований к загрязнению и целевых затрат.

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширения

 


В4. Какая информация требуется для расчета стоимости?
      Материал + Размер + Толщина + Структура + Детали пазов/отверстий + Обработка поверхности + Допуск + Количество + Применение + Рабочая температура
      Для нестандартных продуктов настоятельно рекомендуется предоставить 2D-чертеж или 3D-файл САПР.


В5. Какова максимальная рабочая температура?
      Ваша текущая общедоступная страница продукта SiC Tray указывает рабочую температуру ≤1600°C. Фактическая допустимая температура должна быть подтверждена в соответствии с маркой материала и технологической средой.

В6. Можно ли полировать поверхность?
      Да. Прецизионная шлифовка или полировка может быть предоставлена в соответствии с требованиями к применению.

В7. Можете ли вы предоставить OEM/ODM?
      Да. Настройка OEM/ODM поддерживается на основе чертежей заказчика и требований к применению.

В8. Почему стоит выбрать SiC вместо кварца или графита?
      SiC предлагает преимущества в стабильности при высоких температурах, механической прочности, тепловых характеристиках и химической стабильности. Однако выбор материала всегда должен основываться на фактическом процессе, а не на предположении, что SiC универсально превосходит кварц или графит.

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширения 
 


Сопутствующие товары

                                               
Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширения

Пользовательские лотки из SiC, вертикальные и горизонтальные держатели для пластин​​



                                              

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved Высокая теплопроводность Низкий коэффициент теплового расширения



Алюминиевые керамические детали для полупроводникового оборудования