Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Наименование марки:	ZMSH
Номер модели:	SiC пластина HPSI
MOQ:	25
Цена:	Fluctuates with market
Время доставки:	2-4 недели
Условия оплаты:	Т/Т

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Шанхай, Китай

Политип:

Основной 4H-SiC

Диаметр:

Доступны 4/6/8 дюйма

Толщина:

Стандартные размеры: 350 мкм, 500 мкм и 650 мкм.

Удельное сопротивление:

≥1×10¹⁰ Ом・см (электрические характеристики ядра HPSI)

Обработка поверхности:

Односторонняя/двусторонняя зеркальная полировка CMP

Плотность Micropipe:

Марка массового производства ≤1 шт./см²

Характер продукции

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

Бирки:

вафля сик

субстрат сик

субстрат кремниевого карбида

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ

4H-N SiC:Сполнение SSP/DSP по специальной толщине доступные фотоэлектрические и энергосберегающие инверторы

Получите самую лучшую цену

Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств

Получите самую лучшую цену

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs