Информация о пластинах SiC HPSI

Кремниевые карбидные пластины HPSI (High Purity Semi-Insulating) являются критически важными фундаментальными субстратами для высокочастотных радиочастотных устройств GaN и передовых полупроводников третьего поколения.С быстрым расширением связи 5G, рынки радара миллиметровой волны и аэрокосмической электроники, мировой рынок SiC-субстратов, по прогнозам, превысит 2 млрд. USD к 2030 году,играет незаменимую стратегическую роль в беспроводной связи следующего поколения и высокопроизводительные электронные системы.

Вверх по течению: порошок карбида кремния высокой чистоты (выше 6N), печи для выращивания кристаллов с физическим транспортом пара (PVT) и компоненты теплового поля с высокой чистотой графита.Высококачественное оборудование для выращивания кристаллов и сырье с высокой чистотой по-прежнему частично зависят от импорта в промышленной цепочке. Средний поток: рост однокристаллического SiC → формирование слитков → многопроволочное нарезание → лапирование → химическая механическая полировка (CMP) → обработка поверхности, готовая к эпитаксии.Этот сегмент имеет чрезвычайно высокие технические барьеры, с кристаллической производительностью и борьбой с дефектами в качестве основных конкурентных показателей.микроскопы радиолокационных станций миллиметровой волны, аэрокосмические электронные компоненты, высокочастотные микроволновые устройства и прототипы высоковольтных устройств питания.Спрос в нижнем направлении продолжает расти благодаря модернизации коммуникационных технологий и новым энергетическим и оборонным отраслям.

4H HPSI SiC пластинки представляют собой высокочистые полуизоляционные однокристаллические карбидные кремниевые подложки с кристаллической ориентацией <0001>,производится в основном с помощью метода физического парного транспорта (PVT)Полуизоляционное свойство достигается с помощью сверхвысокой чистоты контроля и технологии допинга ванадия, достигая чрезвычайно высокого сопротивления.Эпи-готовая поверхность подвергается точной полировке CMP для достижения гладкости атомного уровня, отвечающие строгим требованиям MOCVD GaN эпитаксии.

Ключевые особенности

Высокочистый полуизоляционный материал SiC

Наши пластинки HPSI SiC изготавливаются из высокочистого однокристаллического карбида кремния (4H-SiC) класса 6N, специально разработанных для высокочастотных радиочастотных и высококлассных производственных сред полупроводников.Материал отличается превосходной теплопроводностью, сверхвысокая электрическая сопротивляемость, отличная химическая коррозионная стойкость и превосходная механическая прочность, сохраняющая стабильные электрические и физические характеристики при высокотемпературной эпитаксии,высокопроизводительная работа и суровые условия обработки плазмы.

Многочисленные варианты политипа и ориентации для различных устройств

Субстраты SiC доступны в основных политипах и кристаллических ориентациях, чтобы соответствовать различным требованиям полупроводниковых устройств.4H-SiC является доминирующим выбором для радиочастотных и силовых устройств с сбалансированной мобильностью электронов и стабильностью материала; 6H-SiC варианты удовлетворяют специальным оптоэлектронным и высокотемпературным сценариям устройств.4° от оси) доступны для оптимизации качества эпитаксиального слоя и производительности устройства.

Ультраточное полирование и плоскость CMP

Доступны в классах SSP (Single Side Polished) и DSP (Double Side Polished), чтобы соответствовать различным сценариям процесса.с строго контролируемым TTVГладкая, бездефектная поверхность на атомном уровне отлично отвечает стандартам роста эпитаксии MOCVD GaN,обеспечение равномерного отложения эпитаксиального слоя и высокой последовательности производительности RF устройства;.

Отличные электрические и тепловые свойства

HPSI SiC-субстраты обеспечивают сверхвысокую сопротивляемость (≥ 1 × 1010 Ω · cm) и сверхнизкую диэлектрическую потерю, эффективно устраняя перекрестную связь и утечку сигнала для высокочастотных и высокомощных RF-устройств.Теплопроводность в 3−4 раза выше, чем у сапфира, они обеспечивают отличную способность рассеивания тепла, значительно повышая плотность питания устройства и долгосрочную надежность при работе с высокой нагрузкой.

Производство высокоточных субстратов на заказ

Спецификации подложки могут быть полностью настроены в соответствии с техническими требованиями клиента, включая:

• Диаметр пластины: 2 / 4 / 6 / 8 дюймов
• Стандартная и индивидуальная толщина
• Кристалловый политип и точный угол
• Режимы полировки SSP / DSP
• Толерантность к шероховатости и плоскости поверхности
• Крайний раствор и отделка краев
• Первичный план/программа расположения выемки
• Процесс очистки чистоты и точности

Функциональная обработка и услуги по добавленной стоимости

В дополнение к стандартным обнаженным SiC пластинкам, мы предоставляем полный процесс настраиваемой функциональной обработки для поддержки диверсифицированных приложений клиентов.

• Рост эпитаксиального слоя (GaN / AlGaN на SiC)
• Полная / локализованная металлизация (покрытие Ti / Ni / Au / Cr)
• Ультратонкие пластины для разжигания и обработки снятия напряжения
• Высокоточные нарезки, бурения и специальные формования
• Окончание поверхности по заказу (полировка / лапирование / гравирование)
• Строгий контроль качества и полная сертификация COA

Замена на заказ и решения для подложки OEM

Мы поддерживаем разработку и производство пластин SiC на основе чертежей клиентов, образцов, параметров процесса оборудования,существующие спецификации компонентов и требования реверсной инженерииВсе продукты соответствуют стандартам RoHS и REACH, обеспечивая стабильные, высокопроизводительные решения для субстратов для модернизации полупроводниковых процессов, совмещения оборудования и локализованных проектов замены.

Типичные применения

HPSI SiC-вофы являются основными фундаментальными субстратами, широко используемыми в радиочастотной связи и передовой полупроводниковой промышленности, применимыми для следующих устройств и производственных процессов:

• Производство усилителей мощности радиочастот на основе GaN и устройств HEMT
• 5G / 6G базовая станция RF фронт-энд чипы
• Радарные микросхемы для миллиметровых волн и автомобильные радарные микросхемы
• Спутниковые коммуникации и аэрокосмические электронные компоненты
• Монолитические микроволновые и миллиметровые интегральные схемы (MMIC)
• НИОКР и создание прототипов высокочастотных энергетических электронных устройств
• Оборонная электроника и фазовые радиолокационные системы
• Опаковка полупроводниковых устройств, устойчивых к высокой температуре
• Полупроводниковое вакуумное оборудование и высокотемпературные изоляционные части
• Оборудование высокомощных радиочастотных устройств и субстраты для теплового управления

HPSI SiC субстраты были коммерчески серийно произведены для основных RF и высококачественных полупроводниковых сценариев, с стабильной консистенцией партии,низкий уровень дефектов и отличная совместимость процессов.

Спецификации продукции

Почему выбирать пластинки HPSI SiC для полупроводников и RF приложений?

Кремниекарбидные пластины HPSI являются основными основополагающими субстратами, широко применяемыми в эпитаксии GaN RF, производстве высокочастотных устройств и микроволновых электронных систем.AlGaN и другие эпитаксиальные породы, они работают в экстремальных производственных условиях с высокой температурой, высокой плотностью мощности, сильной эрозией плазмы и высокочастотными электромагнитными полями.

По сравнению с традиционными сапфирами, кремниевыми и обычными керамическими субстратами, высокочистые полуизоляционные субстраты SiC обладают превосходными физическими и электрическими свойствами.делая их незаменимыми для высокопроизводительных RF и высокопроизводительных полупроводниковых процессовКлючевые преимущества:

• Сверхвысокая теплопроводность: с теплопроводностью до 490 W/m·K, в 3-4 раза выше, чем у сапфира и в 10 раз выше, чем у кремния, эффективно рассеивает тепло, генерируемое высокопроизводительными устройствами,значительно улучшает плотность питания устройства и срок службы.
• Экстремальная высокотемпературная устойчивость: с температурой плавления до 2700°C, сохраняет стабильную кристаллическую структуру и точность измерений при длительной эпитаксии при высоких температурах и высокой мощности,эффективно избегать деформации подложки и снижения производительности устройства;.
• Ультравысокие полуизоляционные характеристики: с сопротивлением выше 1×1010 Ω·cm и сверхнизкими диэлектрическими потерями, обеспечивает надежную электрическую изоляцию для высокочастотных радиочастотных устройств,эффективное уменьшение перекрестного звука сигнала и потери вставки.
• Высокая химическая инертность: устойчив к коррозии различными кислотными, щелочными и реактивными процессовыми газами, используемыми в производстве полупроводников, без химической реакции или ухудшения поверхности,обеспечение ультрачистых условий процесса.
• Отличная стойкость к плазме и излучению: Он выдерживает длительную бомбардировку плазмой и высокоэнергетическое излучение в процессах отложения тонкой пленки и офорта, с низкой скоростью повреждения поверхности и стабильной производительностью.
• Высокая механическая прочность и твердостьС твердостью Моха 9.5, уступает только алмазу, обеспечивает отличную износостойкость и структурную стабильность, устойчивость к механическим повреждениям и изгибам во время точной обработки и роста тонкой пленки.
• Продолжительность процесса: Он поддерживает постоянную плоскость поверхности и качество кристаллов в повторяющихся и строгих процессах производства полупроводников, значительно снижая частоту замены подложки и затраты на производство.

По вышеуказанным причинам, HPSI SiC-субстраты стали предпочтительным основным материалом для GaN RF устройств, микросхем для связи миллиметровой волны,аэрокосмическая электроника и другие основные полупроводниковые компоненты.

Производство SiC-вофлеров на заказ

Мы специализируемся на индивидуальном и стандартизированном производстве HPSI SiC пластин для радиочастотной связи и передового полупроводникового оборудования,сосредоточенное на высокоточных индивидуальных решениях для промышленного производства и лабораторных НИОКРМы преодолеваем ограничения фиксированных стандартных спецификаций и настраиваем пластины полностью в соответствии с фактическими параметрами процесса клиентов,требования к соответствию оборудования и стандарты конструкции устройства.

Всеобъемлющие варианты настройки охватывают параметры вафры полного процесса и поддерживающие структуры:

Параметры ядра пластинки SiC

• Диаметр пластины (2/4/6/8 дюймов и специальные индивидуальные размеры)
• Толщина пластины
• Кристаллический политип (4H-SiC, 6H-SiC) и спецификация вне угла
• Форма края и спецификации растворения
• Дизайн расположения плоского / выемки
• Грубость и плоскость поверхности
• Требования к двустороннему / одностороннему полированию
• Ультрачистая обработка поверхности и обработка снятия нагрузок

Соответствие структурных компонентов

• Настройка размера подложки для носителей субстрата
• Обработка отверстий и канавок для позиционирования
• Металлическая база и конструкция рукава
• Спецификации монтажа и крепления интерфейсов
• Интегрированная сборка подложки и вспомогательных частей

Мы можем предоставить готовые интегрированные компоненты, собранные с помощью пластин SiC и соответствующих металлических/керамических деталей для удовлетворения потребностей клиентов в прямой установке и использовании.

Служба замены и обратной инженерии

Для выпущенных из производства пластин SiC, труднодоступных оригинальных деталей и нестандартных индивидуальных субстратов для специального полупроводникового оборудования,Мы предоставляем профессиональные услуги по обратной инженерии и замене изготовленияКлиенты могут предоставить следующую информацию для оценки и предложения:

• Номер части оригинального оборудования
• Подробные технические чертежи и спецификации параметров
• Четкие фотографии продукции и физические образцы (новые/использованные)
• Ключевые параметры измерений и кристаллов
• Информация о модели вспомогательного оборудования и партии
• Специфические сценарии применения и параметры среды процесса

Наша профессиональная инженерная команда проведет всеобъемлющую оценку структуры пластины, производительности кристаллов, сложности обработки и производственной целесообразности до официальной котировки.Все заменяемые пластины будут оптимизированы для совместимости процессовОкончательное соответствие должно быть подтверждено в соответствии с фактической конфигурацией оборудования и стандартами производственного процесса, чтобы обеспечить нулевую разницу в эффекте использования.

Контроль качества

Мы осуществляем полный процесс проверки качества для всех пластин HPSI SiC,и может предоставить целенаправленные пункты проверки и полные отчеты о испытаниях в соответствии с требованиями проекта клиента и отраслевыми стандартамиОсновное содержание инспекции включает:

• Полномерная точная проверка (диаметр, толщина, калибровка допустимых отклонений)
• Ориентация кристаллов и определение точности политипов
• Испытания плоскости поверхности, изгиба и шероховатости
• Проверка плотности микротруб и плотности дефектов
• Испытания сопротивляемости и электрических характеристик
• Проверка визуальных дефектов (подразнения, ямы, трещины, включения)
• Чистота и обнаружение поверхностного напряжения
• Профессиональная проверка упаковки против столкновений и пыли

Формальные отчеты об осмотре с полными данными испытаний могут быть предоставлены для поддержки проверки поступающих от клиента материалов и отслеживания качества производства.

Какую информацию вы должны отправить, чтобы получить предложение?

Для обеспечения точности предложения и сокращения цикла поставки, пожалуйста, предоставьте следующую подробную информацию при консультации:

• Полные технические чертежи продукции и таблицы параметров
• Требования к диаметру, толщине и допустимости пластины
• Спецификации кристаллического политипа, ориентации и отклонения от угла
• Требования к отделке поверхности, степени полировки и чистоте
• Параметры соответствующих вспомогательных компонентов (если таковые имеются)
• Марка, модель оборудования и условия вспомогательного процесса
• Оригинальный номер части OEM (если имеется)
• Необходимое количество и спрос на партии
• Специфический процесс подачи заявки и крайние экологические требования

Если полные технические чертежи отсутствуют, пожалуйста, предоставьте четкие фотографии высокой четкости и физические образцы пластины для нашей команды для проведения испытаний параметров и оценки схемы.

Частые вопросы

Для чего в основном используются пластинки HPSI SiC?

HPSI (High Purity Semi-Isolating) SiC-облаки являются основными носителями субстратов для высокочастотных радиочастотных и продвинутых полупроводниковых устройств, в основном используемых в усилителях мощности GaN RF,Чипы базовой станции 5G, миллиметроволновой радар, аэрокосмическая электроника, микроволновая ММИК и другие области, подходящие для высокотемпературной эпитаксии, отложения тонкой пленки и точных процессов офорта.

Вы можете предоставить на заказ комплектующие части для сборки пластинок?

В дополнение к однотонным подложкам из Си-Си-Си, мы можем настроить различные соответствующие светильники, металлические основания,Компоненты для позиционирования и готовые комплектующие комплектующие согласно чертежам и требованиям к образцам, реализуя единый пункт поддержки поставок.

Вы можете произвести заменные пластины для старого и специального оборудования?

Да, мы поддерживаем полный спектр услуг по индивидуальному изготовлению, включая производство на основе чертежей и обратную инженерию образцов.физические образцы и информация об оборудовании;, и наша команда завершит соответствие производительности и альтернативное производство.

Можно ли настроить все основные параметры SiC-вофлей?

Все ключевые параметры, включая размер пластины, толщину, кристаллический политип, обработку краев, шероховатость поверхности,Плоскость и класс полировки могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями процесса клиента для удовлетворения индивидуальных потребностей в НИОКР и производстве.

Вы поддерживаете заказ небольших партий и прототипов?

Да, мы полностью поддерживаем разработку прототипов, лабораторные испытания малых партий, замену технического обслуживания оборудования и заказ на массовое производство.Мы будем оценивать схему производства и котировки в соответствии с индивидуальными параметрами и сложности обработки.

Сопутствующие продукты

Для светодиодов, полупроводников, лазерного света и оптических устройств

6 дюймовый N тип 6H карбонизированный ≈ внешний расширенный кристалл, толщина 350 микроми, для MEMS и ультрафиолетовых датчиков