logo
Хорошая цена  онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso.
Субстрат SiC
Created with Pixso. Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств

Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств

Наименование марки: ZMSH
Номер модели: SiC пластина HPSI
MOQ: По случаю
цена: Fluctuate with current market
Время доставки: 2-4 недели
Условия оплаты: Т/Т
Подробная информация
Место происхождения:
Китай
Место происхождения:
Шанхай
тип:
Полу-изолировать
Поверхностная обработка:
ССП/ЦСП, КМП/МП
Приложения:
GaN HEMT, SiC MOSFET, ВЧ усилители
Упаковывая детали:
В кассетной коробке или в отдельных вафельных контейнерах.
Поставка способности:
1000 шт/месяц
Характер продукции

 

Описание продукта

 

 

 

Полуизолирующие пластины высокой чистоты (HPSI) SiC представляют собой усовершенствованные подложки из монокристаллического карбида кремния, предназначенные для силовой электроники, радиочастотных и высокочастотных устройств. Они предлагают отличныетеплопроводность, высокийудельное сопротивление, сильныйхимическая стабильностьи превосходныймеханическая твердость. Пластины HPSI идеально подходят в качестве подложки для GaN HEMT, SiC MOSFET и других мощных и высокочастотных устройств. Они обеспечивают минимальную утечку, эффективное рассеивание тепла и стабильную работу устройства в сложных условиях.

 

 

 

                              Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств 0                             Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств 1

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

Ключевые особенности

Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств 2

 

 

 

  • Электрические характеристики: Высокое удельное сопротивление уменьшает утечки и паразитные каналы, идеально подходит в качестве основы для силовых устройств.

  • Тепловые характеристики: Высокая теплопроводность (~4,9 Вт/см·К) для эффективного отвода тепла в мощных высокочастотных устройствах.

 

  • Химическая стабильность: Высокая химическая инертность, устойчивость к высоким температурам и окислению.

 

  • Механические свойства: Высокая твердость, износостойкость и стабильная решетчатая структура.

 

 

 

 

 

 


 

 

 

Основные приложения

 

 

 

  • Подложки силовых полупроводниковых устройств (например, GaN HEMT, SiC MOSFET)

 

  • Устройства высокочастотной связи и усилители ВЧ

 

  • Микроволновые и радарные устройства, требующие высокого удельного сопротивления и низкой паразитной емкости.

 

  • Электроника в экстремальных условиях: высокая температура, высокое напряжение и сильное излучение.

 

 

 

 


 

 

 

 

 

Кастомизация

 

 

 

 

Мы предоставляем универсальный геометрический пошив. Мы можем регулировать толщину пластин и предлагать различные ориентации обрезки — от стандартных наклонов на 4° до разрезов по оси — в соответствии с вашим рецептом эпитаксиального выращивания. Мы также предлагаем различные варианты легирования, регулируя уровни удельного сопротивления для поддержки как проводимости N-типа для силовых модулей электромобилей, так и полуизолирующих структур для высокочастотных радиочастотных применений. Путем точной настройки наших циклов роста мы концентрируемся на обеспечении электрической согласованности, необходимой для стабильных и высокопроизводительных устройств.

 

 

 

           Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств 3  Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств 4  Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств 5

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

Часто задаваемые вопросы

 

 

Что характеризует полуизолирующий карбид кремния?

Этот материал обладает чрезвычайно высоким удельным электрическим сопротивлением, эффективно сводя к минимуму паразитные утечки тока в высокочастотных и высоковольтных приложениях.

Доступны ли индивидуальные спецификации?

Да, мы поддерживаем индивидуальные спецификации, включая концентрацию легирующих добавок, размерные параметры и характеристики поверхности для продуктов Prime и Research Grade.

Что отличает Prime Grade от Dummy Grade?

Пластины Prime Grade имеют минимальную плотность дефектов, подходящую для изготовления активных устройств, а Dummy Grade обеспечивает экономичные решения для технологических испытаний и калибровки оборудования.

Как упаковывается продукция для отправки?

Каждая пластина подвергается индивидуальной вакуумной запечатке с использованием материалов, совместимых с чистыми помещениями, для обеспечения целостности поверхности во время транспортировки.

Каковы стандартные сроки доставки?

Заказы со стандартной спецификацией обычно доставляются в течение 2–4 недель, тогда как выполнение индивидуальных требований обычно занимает 4–6 недель.