logo
Хорошая цена  онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso.
Субстрат SiC
Created with Pixso. Прецизионное кремниевое кольцо (Si Ring) для систем плазменного травления полупроводников в монокристаллическом и поликристаллическом кремнии

Прецизионное кремниевое кольцо (Si Ring) для систем плазменного травления полупроводников в монокристаллическом и поликристаллическом кремнии

Наименование марки: ZMSH
MOQ: 10
Время доставки: 2-4 недели
Условия оплаты: Т/Т
Подробная информация
Место происхождения:
Шанхай, Китай
Материал:
Монокристаллический кремний/поликристаллический кремний
Чистота:
≥ 99,999% (5N)
Максимальный диаметр:
До 480 мм
Толщина:
Пользовательский (обычно 5–30 мм)
Сопротивление (низкое):
< 0,02 Ом·см
Равномерность удельного сопротивления:
< 5% (RRG)
Поверхностная обработка:
Полированный/притертый/шлифованный
Выделить:

Однокристаллический Кремниевый Кремниевый Кольцо

,

Поликристаллический Кремниевый Си Кольцо

,

Плазменный Этчерный Полупроводниковый Кремниевый Кольцо

Характер продукции

Прецизионное кремниевое кольцо (Si Ring) для систем плазменного травления полупроводников в монокристаллическом и поликристаллическом кремнии 0Прецизионное кремниевое кольцо (Si Ring) — это расходный компонент полупроводникового класса, используемый в оборудовании для плазменного травления, осаждения и обработки пластин. Оно действует как кольцо фокусировки, краевое кольцо или кольцо лайнера камеры, помогая контролировать распределение плазмы, улучшать однородность травления и защищать оборудование камеры от прямой ионной бомбардировки.

Кольцо, изготовленное из монокристаллического или поликристаллического кремния высокой чистоты, обеспечивает превосходную совместимость с процессами изготовления кремниевых пластин. Такое внутреннее соответствие материалов снижает риск загрязнения и обеспечивает стабильную производительность процесса при производстве полупроводников.

Роль кремниевых колец в плазменных камерах

В полупроводниковых плазменных системах (ICP, RIE, PECVD, CVD) кремниевые кольца подвергаются воздействию:

  • Плазменные поля высоких энергийПрецизионное кремниевое кольцо (Si Ring) для систем плазменного травления полупроводников в монокристаллическом и поликристаллическом кремнии 1
  • Газы на основе фтора (CF₄, SF₆, NF₃)
  • Химические вещества на основе хлора (Cl₂, HBr)
  • Термический цикл и ионная бомбардировка

В этих суровых условиях кремниевые кольца постепенно подвергаются контролируемой эрозии, поэтому их классифицируют как критические расходные компоненты в производстве полупроводников.

Их основные роли включают в себя:

  • Стабилизация распределения плазмы вблизи краев пластины
  • Улучшение однородности травления и контроля CD
  • Защита стен и оборудования камеры
  • Поддержание повторяемости процесса

Ключевые преимущества силиконовых колец

Отличная совместимость с кремниевыми процессами

Кремниевые кольца естественным образом совместимы с условиями обработки кремниевых пластин, сводя к минимуму перекрестное загрязнение и обеспечивая высокопроизводительное производство.

Экономичное решение в области расходных материалов

По сравнению с альтернативами из SiC кремниевые кольца обеспечивают:

  • Более низкая первоначальная стоимость
  • Более простое производство и механическая обработка
  • Экономичные циклы замены

Стабильная производительность плазмы

Кремний высокой чистоты обеспечивает стабильное электрическое поведение и поведение материала во время воздействия плазмы, поддерживая стабильные условия процесса.

Гибкие варианты материалов

Доступно в:

  • Монокристаллический кремний (более высокая однородность, лучшая электрическая стабильность)
  • Поликристаллический кремний (экономичный, широко используется в стандартных процессах)

Прецизионная обработка полупроводников

Изготовлено с соблюдением строгих допусков для обеспечения:

  • Тщательный контроль размеров (<10 мкм)
  • Надежная интеграция камеры
  • Стабильное поведение плазмы на краях пластин

Технические характеристики

Параметр Спецификация
Материал Монокристаллический кремний/поликристаллический кремний
Чистота ≥ 99,999% (5N)
Максимальный диаметр До 480 мм
Толщина Пользовательский (обычно 5–30 мм)
Сопротивление (низкое) < 0,02 Ом·см
Удельное сопротивление (среднее) 1 – 4 Ом·см
Сопротивление (высокое) 70 – 90 Ом·см
Равномерность удельного сопротивления < 5% (RRG)
Поверхностная обработка Полированный/притертый/шлифованный
Шероховатость поверхности Ra ≤ 0,8 мкм (полированная нижняя часть)
Точность обработки < 10 мкм
Плоскостность ≤ 30 мкм (зависит от размера)
Краевой дизайн Настраиваемая фаска/радиус
Стандарт качества Без трещин, сколов и загрязнений

Полупроводниковые приложения

Силиконовые кольца широко используются в:

  • Системы плазменного травления ICP и RIE
  • Оборудование для нанесения CVD и PECVD
  • Кольцо фокусировки и краевое кольцо в сборе
  • Облицовка камеры и защитные конструкции
  • Системы управления плазмой на кромке пластины

Они особенно подходят для полупроводниковых узлов зрелого и среднего уровня, где ключевыми приоритетами являются экономическая эффективность и стабильная производительность.


Прецизионное кремниевое кольцо (Si Ring) для систем плазменного травления полупроводников в монокристаллическом и поликристаллическом кремнии 2


Монокристаллические и поликристаллические кремниевые кольца

Особенность Монокристаллический кремний Поликристаллический кремний
Единообразие Выше Умеренный
Электрическая стабильность Лучше Стандартный
Расходы Выше Ниже
Обрабатываемость Хороший Очень хороший
Типичное использование Высокоточные процессы Общепромышленное использование

Силиконовое кольцо против кольца SiC (руководство по выбору)

Особенность Силиконовое кольцо SiC кольцо
Расходы Ниже Выше
Сопротивление плазме Умеренный Отличный
Продолжительность жизни короче дольше
Сложность обработки Полегче Сильнее
Лучшее приложение Стандартные процессы Жесткая плазменная среда

Силиконовые кольца предпочтительнее, когда экономическая эффективность и совместимость с технологическими процессами важнее сверхдлительного срока службы.


Прецизионное кремниевое кольцо (Si Ring) для систем плазменного травления полупроводников в монокристаллическом и поликристаллическом кремнии 3


Почему выбирают силиконовые кольца?

Кремниевые кольца по-прежнему широко используются на заводах по производству полупроводников, поскольку они обеспечивают:

  • Доказанная совместимость с процессами на основе кремния
  • Стабильное и предсказуемое поведение плазмы
  • Более низкая стоимость расходных материалов
  • Высокая гибкость производства
  • Простая настройка для сложной геометрии.

Они являются практичным и надежным выбором для крупносерийного производства.

Параметры настройки

Доступная настройка включает в себя:

  • Регулировка диаметра и толщины
  • Выбор монокристаллического или поликристаллического материала
  • Настройка сопротивления
  • Профиль кромки (фаска/радиус)
  • Обработка поверхности (полировка, притирка, шлифовка)
  • Сложные геометрические конструкции по чертежам.

Часто задаваемые вопросы

В1: Является ли кремниевое кольцо расходной частью?

Да. Это расходный компонент, который постепенно разрушается под воздействием плазмы и требует периодической замены.

В2: В чем разница между монокристаллическим и поликристаллическим кремнием?

Монокристаллический кремний обеспечивает лучшую однородность и электрические характеристики, тогда как поликристаллический кремний обеспечивает более низкую стоимость и гибкость производства.

В3: Можно ли изготовить силиконовые кольца по индивидуальному заказу?

Да. Размеры, удельное сопротивление, качество поверхности и геометрия могут быть настроены в соответствии с требованиями к оборудованию или чертежами.

В4: Каков срок службы по сравнению с кольцами SiC?

Кремниевые кольца обычно имеют более короткий срок службы из-за более низкой стойкости к плазме, особенно в агрессивных средах травления.

Q5: Каково типичное время выполнения заказа?

Обычно изготовление занимает 3–5 недель в зависимости от сложности конструкции и объема заказа.


Сопутствующий продукт

Прецизионное кремниевое кольцо (Si Ring) для систем плазменного травления полупроводников в монокристаллическом и поликристаллическом кремнии 4

Кольцо CVD SiC для плазменного травления полупроводников и защиты камеры