2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия

Описание продукта

Этот2-дюймовая (50,8 мм) пластина из карбида кремния политипа 6H и N-типапредставляет собой высокопроизводительную полупроводниковую подложку, разработанную для передовых исследований и специализированных электронных приложений. Использование широкой запрещенной зоны примерно3,02 эВЭта пластина обеспечивает превосходную теплопроводность и высокую напряженность поля по сравнению с традиционным кремнием.

Легированный азотом для достижения постоянной проводимости N-типа, он имеет типичный диапазон удельного сопротивления0,030–0,080Ом-см. Подложка подвергается точной полировке с помощью химико-механической полировки на кремниевой поверхности до шероховатости атомного масштаба (Ра < 0,5нм), обеспечивая идеальную поверхность для эпитаксиального роста. Стандартизировано на330тымтолщины с первичной лыской, ориентированной <1010>плоскости, это важный инструмент для разработки УФ-датчиков, высокотемпературной электроники и силовых компонентов GaN-on-SiC.

Функции:

1.Широкая запрещенная зона
Политип 6H обеспечивает надежную запрещенную зону3,02 эВ, значительно превосходя традиционный кремний в условиях высокого напряжения и высоких температур. Это физическое свойство позволяет материалу сохранять структурную и электрическую целостность при экстремальных термических нагрузках, что делает его идеальным субстратом для специализированной УФ-оптоэлектроники и радиационно-стойких датчиков, которым требуется долговременная стабильность.

2. Точная полировка поверхности.

Каждая пластина подвергается строгому процессу химико-механической полировки, в результате чего кремниевая сторона приобретает гладкость на атомном уровне (Ра < 0,5нм). Эта чистая поверхность имеет решающее значение для высокопроизводительного эпитаксиального выращивания, минимизации несоответствия решетки и распространения дефектов при нанесении слоев нитрида галлия или дополнительных слоев карбида кремния для изготовления устройств.

3. Отличная теплопроводность.

При теплопроводности, достигающей4,9 Вт/см·КЭта подложка N-типа действует как высокоэффективный распределитель тепла. Отводя тепловую энергию от активных слоев устройства в три раза быстрее, чем кремний, он обеспечивает более высокую плотность мощности и уменьшает размер и вес систем охлаждения в компактных силовых модулях.

Приложения:

Силовая электроника и преобразование энергии

2-дюймовая пластина из карбида кремния 6H N-типа служит основой для современной силовой электроники, особенно в секторах, требующих высокоэффективного преобразования энергии. Благодаря широкой запрещенной зоне и высокой теплопроводности он используется для разработки диодов с барьером Шоттки и силовых МОП-транзисторов, которые работают далеко за пределами тепловых пределов традиционного кремния. Эти компоненты необходимы для снижения потерь энергии в промышленных электроприводах, солнечных инверторах и источниках питания. Обеспечивая более высокие частоты переключения, эта пластина помогает инженерам проектировать меньшие, легкие и более эффективные силовые модули, что в конечном итоге способствует переходу к более экологичным энергетическим системам и более надежным инфраструктурам высоковольтных сетей в различных глобальных промышленных приложениях.

Оптоэлектроника и технология УФ-зондирования

В сфере оптоэлектроники 6H-SiC является лучшим выбором подложки для высокоэффективного обнаружения ультрафиолетового (УФ) света и изготовления специализированных светодиодов. Его уникальная электронная структура делает его естественным образом «слепым» к видимому свету, оставаясь при этом очень чувствительным к УФ-спектру, что имеет решающее значение для обнаружения пламени, систем предупреждения о ракетном нападении и мониторинга окружающей среды. Кроме того, поскольку постоянная решетки очень близка к константе нитрида галлия (GaN), эти пластины часто используются в качестве основы для выращивания высококачественных эпитаксиальных слоев. Эта синергия позволяет создавать синие и фиолетовые светодиоды высокой яркости и лазерные диоды, которые сохраняют стабильную производительность и долговечность даже при воздействии интенсивного рабочего тепла или радиации.

Исследования, разработки и испытания прототипов

2-дюймовый формат пластины типа 6H N особенно ценится в академических и корпоративных исследовательских лабораториях для пилотных испытаний и определения характеристик материалов. Его управляемый размер и экономическая эффективность позволяют исследователям экспериментировать с новыми методами осаждения тонких пленок и передовыми процессами литографии без высоких накладных расходов, связанных с производством пластин большего диаметра. Это незаменимый инструмент для изучения физики широкозонных полупроводников, включая подвижность носителей заряда и захват интерфейса на границе SiC/SiO2. Эти пластины ускоряют разработку высокотемпературных датчиков нового поколения и радиационно-стойкой электроники, предназначенных для аэрокосмических исследований, бурения глубоких скважин и других экстремальных условий, где стандартные полупроводники неизбежно выходят из строя.

Технические параметры: