8-дюймовый сапфирный пластинка: Синтетический однокристаллический Al2O3 настраиваемый A/R/M-плоскость 4N5-5N Высокая чистота

Обзор продукции

8-дюймовый (200 мм) сапфировый пластинка является крупноформатный полупроводниковый субстрат, изготовленный из высокой чистоты синтетического однокристаллического алюминия (α-Al2O3).Он служит основным основополагающим субстратом для эпитаксии светодиодов, GaN устройств питания и радиочастотных оптоэлектронных устройств в полупроводниковой промышленности третьего поколения.и обрабатывается с помощью точных процедур, включая многопроволочное нарезание, лапирование и химическая механическая полировка.Объединяя преимущества массового производства большого диаметра с внутренними свойствами сапфира ∙ высокотемпературная устойчивость,электрическая изоляция и устойчивость к химической коррозии это совместимо с крупномасштабными линиями производства эпитаксии MOCVD, эффективно увеличивая производительность чипа и снижая стоимость производства единицы, что делает его критически важным базовым материалом в области высокопроизводительной оптоэлектроники и полупроводников.

Основные технические характеристики

Совместимость с крупным серийным производством

При большом диаметре 200 мм (8 дюймов) эффективная эпитаксиальная площадь на пластину в 4 раза больше, чем у 4-дюймовых пластинок.Он совместим с крупномасштабным оборудованием MOCVD, таким как реакторы с 12 пластинами., значительно увеличивая производительность чипа на партию и снижая стоимость субстрата на чип. Он отвечает требованиям массового производства мини/микро светодиодов и силовых устройств.

Система однокристаллического материала высокой чистоты

Изготовлен из высокочистого алюминиевого сырья класса 4N5 - 5N (99,995% - 99,999%)он имеет шестиугольную α-фазную однокристаллическую структуру с низкой плотностью дислокации и отличной кристаллической целостностью, свободный от сегрегации примесей и дефектов решетки, обеспечивающий однородность роста эпитаксиальной пленки и урожая устройства.

Отличная тепловая устойчивость
С температурой плавления 2050 °C кристаллическая структура остается стабильной при высокотемпературной эпитаксической среде MOCVD 1000 ~ 1200 °C.Он имеет низкий коэффициент теплового расширения и минимальную деформацию изгиба при высокотемпературных процессах, и может выдерживать множество высокотемпературных циклических процессов, чтобы обеспечить стабильность роста эпитаксиального слоя.

Отличная электрическая изоляция и диэлектрические свойства
Внутренний сапфир высокой чистоты обладает отличной электрической изоляцией с сопротивлением при комнатной температуре выше 1014 Ω·см и низкой диэлектрической потерью.Он обеспечивает эффективную электрическую изоляцию между устройствами, подавляет утечки и помехи сигнала в условиях высокого напряжения и отвечает требованиям к производительности высоковольтных устройств питания GaN и радиочастотных устройств.

Ультраточная поверхностная обработка эпитаксиального уровня
Процессы односторонней полировки (SSP) и двусторонней полировки (DSP) доступны. Эпитаксиальная поверхность обрабатывается химической механической полировкой (CMP) с шероховатостью поверхности Ra ≤ 0,2 нм,достижение плоскости атомного уровняОбщее изменение толщины (TTV), лук и варп строго контролируются, полностью отвечая требованиям поверхности для эпитаксиального роста MOCVD GaN.

Сильная химическая и плазменная устойчивость
Сапфир имеет чрезвычайно сильную химическую инертность, нерастворимый в большинстве кислотных и щелочных растворов при комнатной температуре.Он может выдерживать суровые процессы, такие как плазменное офортание и влажную очистку в производстве полупроводников, с минимальным повреждением коррозией и загрязнением частиц на поверхности, обеспечивая чистоту процесса и надежность устройства.

Полиморфизм и поддержка настроенных параметров

Ориентация C-плоскости (0001) поставляется в стандартном исполнении, в то время как специальные ориентации, включая A-плоскость, R-плоскость и M-плоскость, также доступны, с настраиваемыми спецификациями вне угла.Параметры, такие как толщина, краевой раствор и плоский / выемка могут быть настроены в соответствии с требованиями клиента, адаптируясь к различным процессам устройства и спецификациям оборудования.

Высокая механическая прочность и совместимость с последующей обработкой

С твердостью Моха 9, которая уступает только алмазу, он обладает отличной механической жесткостью и устойчивостью к изгибу.Обработка и металлизация ПСС без огранки или трещин, адаптируясь к различным решениям процессов устройств.

Стандартные спецификации

Типичные применения

1. Область оптоэлектроники: Синий/зеленый/УФ светодиодный эпитаксиальный рост, изготовление микро-/микро-людовых дисплейных чипов, высокоэффективные линии производства световых чипов
2. Поле полупроводников мощности: эпитаксиальная подложка для высоковольтных устройств питания на основе GaN, чипов быстрой зарядки, автомобильных электроприборов
3. RF и микроэлектронное поле: Силиконовые на сапфировые (SOS) интегральные схемы RF, субстраты высокочастотных микроволновых устройств
4. Оптическое и сенсорное поле: высокоточные оптические окна, инфракрасные детекторы, сенсорные подложки MEMS
5. Специальная область полупроводников: высокотемпературные электронные устройства, радиоустойчивые электронные компоненты аэрокосмического класса

Контроль качества

На протяжении всего процесса внедряется система контроля качества полупроводникового класса.и можно предоставить полный сертификат анализа (COA)Инспекционные пункты включают проверку точности измерений, проверку отклонения кристаллической ориентации, испытание плоскости и шероховатости поверхности, скрининг визуальных дефектов (грабежей, ям,отломки краев), проверка чистоты и проверка герметичности упаковки, обеспечивая согласованность параметров продукта и надежность процесса.

Частые вопросы

В чем основное различие между 8-дюймовыми сапфировыми пластинками и меньшими 4-дюймовыми пластинками?           

8-дюймовая пластина обеспечивает гораздо большую используемую эпитаксиальную площадь, примерно в 4 раза больше, чем 4-дюймовая пластина, и в 1,8 раза больше, чем 6-дюймовая пластина.увеличивает производство чипов на партию и снижает стоимость чипов на единицуОн лучше подходит для серийного производства мини/микро светодиодов и высоковольтных устройств питания GaN, в то время как 4/6-дюймовые пластинки более распространены для исследований и разработок и производства небольших и средних объемов.

Можно ли настроить толщину 8-дюймовых сапфировых пластин?
Да. Стандартные варианты толщины включают 650μm, 800μm и 1000μm, а специальные спецификации толщины могут быть изготовлены в соответствии с требованиями процесса клиента.параметры дуги и варпы строго контролируются для всех вариантов толщины, чтобы гарантировать плоскость и совместимость процесса.

Предлагаете ли вы другие кристаллические ориентации, кроме C-плоскости (0001), и можно ли регулировать угол?
Да. Помимо стандартной C-плоскости для эпитаксии GaN LED, ориентации A-плоскости, R-плоскости и M-плоскости доступны для устройств SOS RF, неполярных устройств GaN и специальных оптических приложений.Точный от угла также может быть настроен по чертежам клиента или эпитаксиальный процесс нуждается в оптимизации качества эпитаксиальной пленки.

Могут ли быть применены дополнительные методы обработки, такие как PSS или металлизация?
Да, доступны услуги с добавленной стоимостью, включая моделирование PSS / NPSS, полную или локализованную металлизацию задней стороны, точное разделение краев и ультратонкое утолщение пластинок.Возможность зависит от размеров узора, материалы покрытия, толщина пластины и требуемая механическая прочность.

Вы поддерживаете небольшие партии прототипов для 8-дюймовых сапфировых пластин?
Да, количество прототипов, лабораторные испытания и замены заказов на обслуживание все приемлемы.сложность обработки и требуемый уровень качества.

Сопутствующие продукты

4-дюймовый сапфировый пластинка. Высококачественный Al2O3 субстрат для полупроводников и оптических приложений.

Настраиваемый 0,2 мм монокристаллический аль2О3 красный сапфир подшипник с твердостью 9 Моха для прецизионных часов и ювелирных изделий