Синтетический монокристалл Al₂O₃ высокой чистоты (сапфир)
Диаметр:
12 дюймов (300 мм)
Кристаллическая ориентация:
C-плоскость (0001), настраиваемая A/R/M-плоскость
Поверхностная обработка:
SSP/DSP/притертый (настраиваемый)
Стандартная толщина:
800 мкм/1000 мкм/1200 мкм (настраиваемый)
Чистота материала:
Марка высокой чистоты 4N5 ~ 5N
Метод роста:
Метод Киропулоса (Кентукки)
Применение ядра:
Мини/микросветодиоды, устройства питания GaN, оптические окна
Характер продукции
Product Overview The 12-inch (300mm) sapphire wafer is a high-end large-format specification in the sapphire substrate sector. It is fabricated from 4N5 to 5N grade high-purity synthetic single-crystal alumina (α-Al₂O₃), with single-crystal ingots grown via advanced processes such as the Kyropoulos method, followed by semiconductor-grade procedures including multi-wire slicing, precision lapping and chemical mechanical polishing (CMP). As a large-size foundational substrate