logo
Хорошая цена  онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso.
Оборудование полупроводника
Created with Pixso. Печь для синтеза SiC Высокотемпературная карбонизация и однородное соединительное раствор

Печь для синтеза SiC Высокотемпературная карбонизация и однородное соединительное раствор

Наименование марки: ZMSH
MOQ: 1
Время доставки: 2-4 НЕДЕЛИ
Условия оплаты: Т/Т
Подробная информация
Место происхождения:
Шанхай, Китай
Размер печной камеры:
Настраивается в зависимости от размера пластины
Температурный диапазон:
100–1600 °C (настраиваемый)
Точность температуры:
±1 °С
Диапазон давления:
0–5 МПа
Скорость нарастания/снижения:
1–10 °С/мин
Вакуумный уровень:
≤10⁻² Па
Характер продукции

Печь для спекания SiC – решение для высокотемпературной карбонизации и равномерного соединения


Обзор продукта


Печь для спекания SiC предназначена для высокотемпературного спекания и карбонизации пластин, SiC-затравок, графитовой бумаги и графитовых пластин. В сочетании с полностью автоматической машиной для распылительного соединения SiC она обеспечивает получение безпузырьковых, равномерно прессованных, высокоточных SiC-связанных продуктов.

Печь позволяет регулировать температуру, давление и время спекания, гарантируя полную карбонизацию клея и стабильное химическое соединение. Она идеально подходит для высокотемпературных, высокопрочных и коррозионно-активных сред, обеспечивая стабильный, высокопроизводительный (>90%) производственный процесс для соединения SiC-затравок, подготовки полупроводниковых пластин и высокоточного соединения материалов.


Печь для синтеза SiC   Высокотемпературная карбонизация и однородное соединительное раствор 0


Основные технологии


  1. Высокотемпературное спекание и карбонизация

    • Связанные пластины, SiC-затравки, графитовая бумага и графитовые пластины подвергаются контролируемой высокотемпературной обработке.

    • Клеевые слои полностью карбонизируются и отверждаются, образуя стабильную химическую связь.

  2. Равномерное прессование

    • Регулируемое давление обеспечивает равномерное соединение по всей поверхности раздела, предотвращая локальное коробление или пустоты.

    • Вакуумная поддержка и функции обнаружения пузырьков обеспечивают спекание без пузырьков.

  3. Программируемые параметры процесса

    • Температура, давление, профили подъема/спуска и время выдержки полностью программируются.

    • Адаптируется к различным характеристикам материала и требованиям процесса, обеспечивая стабильную прочность соединения и надежность.


Особенности системы


  • Высокоточный контроль температуры: Равномерная температура печи для стабильных результатов соединения.

  • Регулируемая система давления: Обеспечивает равномерное сжатие интерфейса.

  • Вакуумная поддержка: Удаляет пузырьки воздуха для безупречного соединения.

  • Программируемое управление процессом: Автоматические циклы подъема, выдержки и охлаждения с несколькими сохраненными рецептами.

  • Модульная конструкция: Простота обслуживания и возможность расширения в будущем.

  • Функции безопасности: Защита от перегрева и избыточного давления, блокировки работы.

Печь для синтеза SiC   Высокотемпературная карбонизация и однородное соединительное раствор 1


Технические характеристики


Параметр Спецификация Примечания
Размер камеры печи Настраивается в соответствии с размером пластины Поддерживает одну или несколько пластин
Диапазон температур 100–1600 °C (настраивается) Подходит для различных материалов для соединения SiC
Точность температуры ±1 °C Обеспечивает равномерное спекание
Диапазон давления 0–5 МПа Регулируется для равномерного прессования
Скорость подъема/спуска 1–10 °C/мин Регулируется в соответствии с процессом
Уровень вакуума ≤10⁻² Па Удаляет внутренние пузырьки воздуха, повышает выход соединения
Источник питания 220 В / 380 В По требованию заказчика
Время цикла 30–180 мин Регулируется в зависимости от толщины материала и процесса


Типичные области применения


  • Соединение SiC-затравок: Высокотемпературное спекание и карбонизация для прочного и равномерного соединения.

  • Подготовка полупроводниковых пластин: Спекание монокристаллических или мультикристаллических SiC-пластин.

  • Высокотемпературные, коррозионностойкие материалы: Высокопроизводительная керамика и композиты на основе графита.

  • НИОКР и пилотное производство: Мелкосерийное, высокоточное спекание материалов.


Ключевые преимущества


  • Высокий выход: В сочетании с автоматической машиной для распылительного соединения выход соединения превышает 90%.

  • Высокая стабильность: Регулируемая температура, давление и вакуум обеспечивают стабильные результаты спекания.

  • Высокая надежность: Ключевые компоненты соответствуют международным стандартам для длительной стабильной работы.

  • Расширяемость: Модульная конструкция позволяет использовать несколько пластин или пластины большего размера.

  • Удобство эксплуатации: Программируемый интерфейс автоматизирует весь цикл спекания.


FAQ – Часто задаваемые вопросы


В1: Какие материалы может обрабатывать печь для спекания SiC?
О1: Пластины, SiC-затравки, графитовая бумага, графитовые пластины и другие высокотемпературные, коррозионностойкие материалы.


В2: Регулируются ли температура и давление?
О2: Да. Температура варьируется от 100–1600 °C, а давление от 0–5 МПа. Оба параметра полностью регулируются в соответствии с требованиями к материалу и процессу.


В3: Как обеспечивается спекание без пузырьков?
О3: Печь интегрирует вакуумную эвакуацию и равномерное прессование, гарантируя безпузырьковое и полное соединение.


В4: Можно ли обрабатывать несколько пластин одновременно?
О4: Да. Камера может быть настроена для одной или нескольких пластин.


В5: Каково типичное время цикла спекания?
О5: Регулируется, обычно 30–180 минут, в зависимости от толщины материала и настроек процесса.