4-дюймовая N-типа P-легированная Si (100) с тонкой пленкой 100 нм Ti + 200 нм Cu на Ti/кремниевой подложке

Обзор продукта

Эта 4-дюймовая (100 мм) кремниевая пластина N-типа, P-легированная, с <100> кристаллографической ориентацией покрыта адгезионным слоем титана (Ti) толщиной 100 нм и проводящим слоем меди (Cu) толщиной 200 нм.

Слой Ti служит прочным адгезионным буфером и диффузионным барьером, улучшая прикрепление пленки Cu и термическую стабильность. Слой Cu обеспечивает высокую электропроводность, что делает эту пластину подходящей для микроэлектроники, устройств MEMS, датчиков и исследовательских приложений.

Пластина отполирована с одной стороны (SSP) и поставляется в упаковке для чистых помещений, чтобы обеспечить отсутствие загрязнений при работе для прецизионных применений.

Тонкопленочная структура оптимизирована для достижения равномерной толщины, стабильных электрических характеристик и надежной адгезии. Пластина идеально подходит для применений, требующих высококачественного интерфейса Cu/Ti на кремниевых подложках.

ХарактеристикиПараметр

Межсоединительные слои полупроводников

• Микроструктуры и электроды MEMS

• Датчики и контактные площадки

• Исследования и разработки в области тонкопленочной электроники

• Высокопроводящие тестовые пластины для микропроизводства

• Основные характеристики

Адгезионный слой Ti обеспечивает прочное соединение Cu-Si

• Слой Cu толщиной 200 нм обеспечивает низкоомный проводящий путь

• Слой Ti действует как диффузионный барьер для улучшения термической стабильности

• Осаждение PVD обеспечивает стабильную толщину и качество поверхности

• Упаковка для чистых помещений поддерживает чистоту и целостность пластины

• Примечания по использованию и хранению

Обрабатывать в чистом помещении или среде с низким содержанием пыли

• Для высокотемпературной обработки оптимизируйте условия для предотвращения взаимной диффузии Cu/Si

• Хранить в сухой среде с низким напряжением для поддержания целостности тонкой пленки

• Избегайте прямого контакта с покрытой поверхностью

• FAQ

1. Какова однородность тонких пленок Cu/Ti на пластине?

Адгезионный слой Ti и проводящий слой Cu осаждаются с использованием методов PVD в высоком вакууме, обеспечивая
равномерную толщину по всей 4-дюймовой пластине. Толщина пленки Cu составляет 200 нм, а слоя Ti - 100 нм, с минимальными изменениями, подходящими для микроэлектроники и исследовательских приложений.2. Можно ли использовать эту пластину в высокотемпературных процессах?

Да, но рекомендуется соблюдать меры предосторожности. Слой Ti действует как диффузионный барьер, предотвращающий диффузию Cu в кремниевую подложку. Рекомендуется оптимизировать температуру и условия обработки для поддержания целостности и однородности пленки.
3. Как следует хранить и обрабатывать пластину?

Пластину следует обрабатывать в чистом помещении или среде с низким содержанием пыли, чтобы избежать загрязнения. Хранить в сухой среде с низким напряжением. Избегайте прямого прикосновения к покрытой поверхности. Каждая пластина поставляется в пластиковом пакете 100-го класса внутри упаковки для чистых помещений 1000-го класса.
Сопутствующие товары

Кремниевые пластины с золотым покрытием Si 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов Материалы для металлического покрытия Au