Ключевые слова [ silicon carbide substrate ] совпадение 157 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

silicon carbide substrate Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(80)

Субстрат SiC

(119)

Сапфир оптически Виндовс

(75)

Вафля фосфида индия

(34)

Части сапфира

(73)

защитное прозрачное стекло сапфира

(28)

Синтетическая драгоценная камень

(69)

Оборудование полупроводника

(35)

Вафля LiNbO3

(16)

Вафля GaAs

(25)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(22)

Оболочка лаборатории

(22)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic

Получите самую лучшую цену

Подгонянные плиты обломоков размера 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC

Получите самую лучшую цену

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Получите самую лучшую цену

Видео

подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm

Получите самую лучшую цену

Корозия субстрата/кремниевого карбида изготовленного на заказ размера керамическая керамическая превосходная

Получите самую лучшую цену

Подгонянный кремниевый карбид размера полируя керамическую очищенность кольца скольжения 98%

Получите самую лучшую цену

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

Получите самую лучшую цену

Высокий субстрат АлН нитрида алюминия субстрата термальной проводимости керамический керамический

Получите самую лучшую цену

6 субстрат дюйма 1.0мм керамический, плита глинозема керамическая для обработки полупроводника

Получите самую лучшую цену

Электрические свойства керамической вафли субстрата Ал2О3 превосходные для механических уплотнений

Получите самую лучшую цену

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

Получите самую лучшую цену

Видео

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Получите самую лучшую цену

Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um

Получите самую лучшую цену

Видео

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма SiC субстрат 330um Толщина 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену

субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой

Получите самую лучшую цену

Видео

SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N

Получите самую лучшую цену

2 3 4 5 6 7 8 9