logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Главная страница ПродукцияСубстрат SiC

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

Все продукты
Вафля нитрида галлия (35)
Вафля сапфира (88)
Субстрат SiC (132)
Сапфир оптически Виндовс (77)
Кремниевая пластина ИК (22)
Синтетический сапфир штанга (13)
Плита плавленного кварца (40)
Части сапфира (114)
Синтетическая драгоценная камень (72)
Оборудование полупроводника (55)
Вафля LiNbO3 (18)
Вафля GaAs (24)
Вафля фосфида индия (34)
керамический субстрат (25)
Оболочка лаборатории (31)
Оставьте нам сообщение

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade
2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade

Большие изображения :  2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: ZMSH
Сертификация: rohs
Номер модели: 4H-P SiC
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10%
Цена: by case
Упаковывая детали: пластиковая коробка на заказ
Время доставки: в 30days
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 1000pc/month
контакт
Подробное описание продукта
Твердость поверхности: ВВ0.3>2500 Плотность: 3.21 Г/см3
Коэффициент теплового расширения: 4,5 X 10-6/K Диэлектрическая постоянная: 9,7
Прочность на растяжение: >400MPa Материал: Карбид кремния Монокристалл
Размер: 2 дюйма Напряжение отключения: 5,5 МВ/см
Выделить:

Вафель из карбида кремния 350 мкм Sic

,

Фотоэлектротехника SIC Кремниевая карбидная пластина

,

50.8mm SIC Кремниевая карбидная пластина

Описание продукта:

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

4H-P карбид кремния (SiC) является важным полупроводниковым материалом, обычно используемым в высокотемпературных, высокочастотных и мощных электронных устройствах.4H-SiC - это тип его кристаллической структуры, который имеет шестиугольную решетчатую структуруШирокий диапазон пропускания (приблизительно 3,26 eV) позволяет ему работать в условиях высокой температуры и высокого напряжения.может эффективно направлять и рассеивать теплоВысокая теплопроводность (около 4,9 Вт/м· К), превосходящая кремний, может эффективно направлять и рассеивать тепло.Карбид кремния P-типа имеет низкое сопротивление и подходит для строительства PN-соединений.С развитием электромобилей и технологий возобновляемой энергии спрос на карбид кремния типа 4H-P, как ожидается, продолжит расти.стимулирование связанных с этим исследований и технологических достижений.

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс 02 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс 1

Особенности:

· Тип: кристалл 4H-SiC имеет структуру шестиугольной решетки и обладает отличными электрическими характеристиками.

· Широкий диапазон пропускания: примерно 3,26 eV для высокотемпературных и высокочастотных приложений.

· Допинг P-типа: проводимость P-типа достигается посредством допинг-элементов, таких как алюминий, увеличивающих концентрацию проводников пор.

· Сопротивляемость: низкая сопротивляемость, подходящая для устройств высокой мощности.

· Высокая теплопроводность: примерно 4,9 W/m·K, эффективное рассеивание тепла, подходящее для применения с высокой плотностью мощности.

· Устойчивость к высоким температурам: он может стабильно работать в условиях высокой температуры.

· Высокая твердость: очень высокая механическая прочность и выносливость при суровых условиях.

· Высокое разрывное напряжение: способно выдерживать более высокое напряжение и уменьшать размер устройства.

· Низкие потери переключения: хорошие характеристики переключения при высокочастотных операциях для повышения эффективности.
· Коррозионная стойкость: хорошая коррозионная стойкость к широкому спектру химических веществ.

· Широкий спектр применений: подходит для электромобилей, инверторов, усилителей высокой мощности и других областей.

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс 22 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс 3

Технические параметры:

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс 4

Применение:

1Мощная электроника
Преобразователи питания: для эффективных адаптеров питания и инверторов для меньших размеров и более высокой энергоэффективности.
Электрические транспортные средства: оптимизировать эффективность преобразования мощности в приводных модулях и зарядных станциях для электромобилей.

2. РЧ-устройства
Усилители микроволн: используются в системах связи и радаров для обеспечения надежной высокочастотной производительности.
Спутниковые связи: Усилители высокой мощности для спутников связи.

3Применение при высоких температурах
Сенсор: датчик, используемый в условиях экстремальной температуры, способный к стабильной работе.
Промышленное оборудование: оборудование и приборы, приспособленные к высокотемпературным условиям.

4. Оптоэлектроника
Технология светодиодов: используется для повышения световой эффективности в специальных светодиодах короткой длины волны.
Лазеры: эффективные лазерные приложения.

5Система питания.
Умная сеть: повышение энергоэффективности и стабильности в области передачи высоковольтного постоянного тока (HVDC) и управления сетью.

6Потребительская электроника
Устройство быстрой зарядки: портативное зарядное устройство для электронных устройств, которое повышает эффективность зарядки.

7Возобновляемая энергия
Солнечный инвертор: достижение более высокой эффективности преобразования энергии в фотоэлектрических системах.

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс 5

Настройка:

Наш SiC субстрат доступен в типе 4H-P и сертифицирован RoHS. Минимальное количество заказа составляет 10pc, а цена зависит от случая.Время доставки в течение 30 дней и мы принимаем условия оплаты T / TМы можем поставлять 1000 штук в месяц, размер силикового субстрата 2 дюйма.

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс 6

Наши услуги:

1Производство и продажа на заводе.

2Быстрые, точные цитаты.

3Мы ответим вам в течение 24 рабочих часов.

4. ODM: индивидуальный дизайн доступен.

5Скорость и ценная доставка.

Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Какой способ доставки и стоимость?
A: ((1) Мы принимаем DHL, Fedex, EMS и т.д.
(2) Если у вас есть собственный экспресс-счет, это здорово. Если нет, мы можем помочь вам отправить их.
Груз соответствует фактическому расчету.

Вопрос: Как платить?
A:50% депозит, оставленный 50% до доставки T / T, Paypal.

Вопрос: каков ваш MOQ?
A: (1) Для инвентаря, MOQ составляет 10 штук.
(2) Для индивидуальных продуктов MOQ составляет 25 штук.

В: Сколько времени на доставку?
A: (1) Для стандартных продуктов
Для инвентаря: доставка 5 рабочих дней после размещения заказа.
Для индивидуальных продуктов: доставка осуществляется через 2-3 недели после размещения заказа.

тег:

вафля сик,

субстрат сик,

субстрат кремниевого карбида

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Mr. Wang

Телефон: +8615801942596

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов SICOI пластина 4H-SiC на изоляторе 100–150 мм пленка SiC НА кремнии
4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов SICOI пластина 4H-SiC на изоляторе 100–150 мм пленка SiC НА кремнии

Size: 4inch/6inch/8inch

Surface Roughness: Ra<0.5nm

Fracture Toughness: 3.5 MPa·m¹/²

CTE (4H-SiC): 4.2×10⁻⁶/K
2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 5x5 мм 10x10 мм 4H-SiC Подложки 3C-N Тип MOS Grade
2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 5x5 мм 10x10 мм 4H-SiC Подложки 3C-N Тип MOS Grade

размер: 2 -дюймовый, 4 -дюймовый, 6 -дюймовый, 5 × 5,10 × 10

Диэлектрическая постоянная: 9.7

Поверхностная твердость: HV0.3> 2500

Плотность: 3,21 г/см3
​​Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G​​
​​Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G​​

Размер: 2 -дюймовый, 4 -дюймовый, 6 -дюймовый, 5 × 5,10 × 10

Диэлектрическая постоянная: 9.7

Поверхностная твердость: HV0.3> 2500

Плотность: 3,21 г/см3
Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост
Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост

Чистота:: ≥ 99,9999% (6N)

Тип:: 4h-n

Твердость Mohs:: 9,5

Резистивность:: 0.015 ≈ 0.028 ≈
6-дюймовый 8-дюймовый 4-H-SEMI SiC субстрат для оптического класса очки AR
6-дюймовый 8-дюймовый 4-H-SEMI SiC субстрат для оптического класса очки AR

Размер: 6 дюймов, 8 дюймов

Тип: 4H-семи

Толщина А (тропель): 500,0 мкм ± 25,0 мкм

Показатель преломления а: > 2,6 @550 нм
Субстрат SiC

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

Вафля сапфира

Ориентация экстренныйого выпуска Виндовс стекла сапфира вафли полупроводника изготовленная на заказ/сапфира

Сапфировый пластинка Толщина 0,43 мм Сапфировые компоненты

Квадратные вафля сапфира/стекло сапфирового стекла 10кс10мм 5кс5мм для оптически объектива

2°Офф к - сапфир стеклянное Эпи оси синтетический - готовые субстраты диаметр 2 дюймов 50.8мм

Вафля нитрида галлия

Толщина вафли 350um GaN нитрида галлия дисплея проекции лазера

шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный

Шаблон 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN на вафле AlN-На-сапфира EPI-вафли сапфира

вафля шаблона GaN AlN нитрида галлия 2inch 4Inch на сапфире, субстратах Si

Отправить запрос

E-Mail | Карта сайта

Мобильный сайт
политика конфиденциальности | Китай хороший Качество Вафля нитрида галлия поставщик. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.