Детали продукта
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: Сик керамический
Условия оплаты и доставки
Количество мин заказа: 20шт
Цена: by case
Упаковывая детали: коробка кассеты 25пкс
Время доставки: 10-20days
Поставка способности: 10000PCS
Материал: |
Субстраты SiC керамические |
Применения: |
керамические плиты для обработки полупроводника |
Цвет: |
ЧЕРНОТА |
Размер: |
Подгонянный размер |
Чистота: |
98% |
Материал: |
Субстраты SiC керамические |
Применения: |
керамические плиты для обработки полупроводника |
Цвет: |
ЧЕРНОТА |
Размер: |
Подгонянный размер |
Чистота: |
98% |
Цилиндр SIC кремниевого карбида керамический, керамические изделия SIC, подгонянное полируя кольцо скольжения кремниевого карбида керамическое
1. Введение:
Кремниевый карбид (SIC) превосходный материал сопротивления корозии и ссадины.
Соответствующее для сильной кислоты и низкопробного обстоятельства. Сегодня кремниевый карбид
широко использованный в абразивах, огнеупорных материалах, керамике, и различном высоко--performanceapplications.
Особенности кремниевого карбида
Высокое сопротивление изгибу
Высокая корозия и нести сопротивление
Низкая плотность
Высокая твердость
Высокая термальная проводимость
Низкий коэффициент линейного расширения
Превосходное сопротивление термального удара
низкое тепловое расширение
Применения кремниевого карбида
Керамический ролик
Керамический шарик
Керамический фильтр пены
Керамический плунжер
Керамический поршень
Керамическая доска пены
Керамическая втулка
Керамические изделия
| Спецификация кремниевого карбида | ||
| ДЕТАЛЬ | ЕДИНСТВО | ДАННЫЕ |
| Цвет | -- | Черный |
| Плотность | g/cm3 | 3,2 |
| Твердость | HRA | 90-94 |
| Сопротивление изгибу | MPa | 400 |
| Твердость трещиноватости | MPa/m | 4 |
Тепловое расширение | x10-6/°C | 3,7 |
Термальный удар | °C | 400 |
Отростчатый шаг для керамических продуктов
Полируя обслуживание
Наш продукт может быть отполирован (одиночный и двойной блеск) предварительной машиной которая импортировала
от за рубежом. Керамическая шероховатость поверхности субстрата может достигнуть к 1nm без пористого после быть отполированным.
Совершенно соответствующее для применения прибора небольших спецификаций, высокой точности, связывающ проволокой плотность и хорошую стабильность.
Видео
