Ключевые слова [ silicon carbide substrate ] совпадение 158 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

silicon carbide substrate Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(35)

Вафля сапфира

(75)

Субстрат SiC

(139)

Сапфир оптически Виндовс

(74)

Вафля фосфида индия

(34)

Части сапфира

(74)

защитное прозрачное стекло сапфира

(28)

Синтетическая драгоценная камень

(64)

Оборудование полупроводника

(35)

Вафля LiNbO3

(16)

Вафля GaAs

(24)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(22)

Оболочка лаборатории

(22)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевой карбидный субстрат 4H 6H 3C Тип поддержки

Получите самую лучшую цену

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

Получите самую лучшую цену

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,05,0 мм/10,010,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену

тип n ранга продукции субстрата кремниевого карбида вафли 8inch DSP 4H SiC для эксперимента

Получите самую лучшую цену

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену

6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства

Получите самую лучшую цену

Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм

Получите самую лучшую цену

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Получите самую лучшую цену

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену

Видео

Силиконовый карбид (SiC) субстрат 6 дюймовый 8 дюймовый тестовый вафли для лазерной резки

Получите самую лучшую цену

1 2 3 4 5 6 7 8