logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [silicon carbide substrate ]

  совпадение  

243

  ПРОДУКТЫ
Купить 2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс Производство в сети

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования Производство в сети

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид (SiC) субстрат 6 дюймовый 8 дюймовый тестовый вафли для лазерной резки Производство в сети Видео

Силиконовый карбид (SiC) субстрат 6 дюймовый 8 дюймовый тестовый вафли для лазерной резки

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия Производство в сети

2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия

Получите самую лучшую цену
Купить фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик Производство в сети

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники Производство в сети Видео

Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства Производство в сети

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену
Купить Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC) Производство в сети

Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC)

Получите самую лучшую цену
Купить Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники Производство в сети

Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Силикокарбидный Сик-вофлер Производство в сети

Силикокарбидный Сик-вофлер

Получите самую лучшую цену
Купить кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников Производство в сети

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Получите самую лучшую цену
Купить ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная Производство в сети

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовая 300-мм 4H-N 6H-N пластина из карбида кремния (SiC) монокристаллического кремния для силовых приборов и светодиодов Производство в сети

12-дюймовая 300-мм 4H-N 6H-N пластина из карбида кремния (SiC) монокристаллического кремния для силовых приборов и светодиодов

Получите самую лучшую цену
Купить кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Производство в сети Видео

кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм Производство в сети Видео

Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм

Получите самую лучшую цену
Купить 8-дюймовый Си-Карбидный Кремниевый Вафля 4H-N Тип P/D/R Степень Мох.9 Многочисленные приложения Производство в сети

8-дюймовый Си-Карбидный Кремниевый Вафля 4H-N Тип P/D/R Степень Мох.9 Многочисленные приложения

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Хорошая цена 8-дюймовый Си-Карбидный Кремниевый Вафля 4H-N Тип P/D/R Степень Мох.9 Многочисленные приложения онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ silicon carbide substrate ]  совпадение 243 ПРОДУКТЫ
Купить Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс Производство в сети

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники Производство в сети Видео

4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм Производство в сети

2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм

Получите самую лучшую цену
Купить Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic Производство в сети

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс Производство в сети

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования Производство в сети

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид (SiC) субстрат 6 дюймовый 8 дюймовый тестовый вафли для лазерной резки Производство в сети Видео

Силиконовый карбид (SiC) субстрат 6 дюймовый 8 дюймовый тестовый вафли для лазерной резки

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия Производство в сети

2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия

Получите самую лучшую цену
Купить фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик Производство в сети

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники Производство в сети Видео

Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства Производство в сети

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену
Купить Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC) Производство в сети

Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC)

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8