logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
Цитата
Хорошая цена Онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [silicon carbide substrate ]

  совпадение  

160

  ПРОДУКТЫ
Купить Бесцветная прозрачная пластина из карбида кремния SiC, полированная, линза, оптический класс, AR-покрытие (для очков) Производство в сети

Бесцветная прозрачная пластина из карбида кремния SiC, полированная, линза, оптический класс, AR-покрытие (для очков)

Получите самую лучшую цену
Купить Отполированный зеркалом цилиндр сопротивления носки Al2O3 трубки кремниевого карбида керамический Производство в сети

Отполированный зеркалом цилиндр сопротивления носки Al2O3 трубки кремниевого карбида керамический

Получите самую лучшую цену
Купить Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC Производство в сети

Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс Производство в сети

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс

Получите самую лучшую цену
Купить ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная Производство в сети

ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная

Получите самую лучшую цену
Купить 330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC Производство в сети

330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC Производство в сети

2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2

Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном Производство в сети

Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC Производство в сети Видео

Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm Производство в сети

4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост Производство в сети

Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост

Получите самую лучшую цену
Купить 8-дюймовый Си-Си вафла Кремниевого карбида вафла Прайм Дамми Исследовательский класс 500м 350мм Производство в сети

8-дюймовый Си-Си вафла Кремниевого карбида вафла Прайм Дамми Исследовательский класс 500м 350мм

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс Производство в сети

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

Получите самую лучшую цену
Купить вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Производство в сети Видео

вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид 6 дюймов Сик однокристаллический 150 мм диаметр 3C-N тип костюм для радиолокационных систем связи Производство в сети

Силиконовый карбид 6 дюймов Сик однокристаллический 150 мм диаметр 3C-N тип костюм для радиолокационных систем связи

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Хорошая цена Силиконовый карбид 6 дюймов Сик однокристаллический 150 мм диаметр 3C-N тип костюм для радиолокационных систем связи Онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ silicon carbide substrate ]  совпадение 120 ПРОДУКТЫ
Купить Силиконовый карбид вафель 6H P-тип и 4H P-тип нулевой MPD производство дублированный класс диа 4 дюймов 6 дюймов Производство в сети

Силиконовый карбид вафель 6H P-тип и 4H P-тип нулевой MPD производство дублированный класс диа 4 дюймов 6 дюймов

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовый карбид кремниевого карбида типа N с несколькими опциями толщины для силовых установок EV и двигателей высокой плотности Производство в сети

4-дюймовый карбид кремниевого карбида типа N с несколькими опциями толщины для силовых установок EV и двигателей высокой плотности

Получите самую лучшую цену
Купить 6-дюймовый силиконовый карбидный слиток с высоким полем разрушения, теплопроводностью и широкой диапазоной энергии для силовой электроники Производство в сети

6-дюймовый силиконовый карбидный слиток с высоким полем разрушения, теплопроводностью и широкой диапазоной энергии для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Керамическая палитра из карбида кремния для обработки полупроводниковых пластин Производство в сети Видео

Керамическая палитра из карбида кремния для обработки полупроводниковых пластин

Получите самую лучшую цену
Купить Изготовленная на заказ ступенчатая керамическая пластина из карбида кремния (SiC) для полупроводникового оборудования Производство в сети Видео

Изготовленная на заказ ступенчатая керамическая пластина из карбида кремния (SiC) для полупроводникового оборудования

Получите самую лучшую цену
Купить Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств Производство в сети

Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC Производство в сети

вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого Производство в сети

Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники Производство в сети

Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° В сторону производства Производство в сети

Силиконовый карбид Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° В сторону производства

Получите самую лучшую цену
Купить тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты Производство в сети

тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC Производство в сети

подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8