2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс

Карбид кремния (SiC), обычно называемый карбидом кремния, является соединением, образованным путем сочетания кремния и углерода.который широко используется в полупроводниковых материалахКарбид кремния уступает только алмазу по твердости, что делает его отличным абразивным и режущим инструментом.Хорошая теплопроводность делает его подходящим для применения при высоких температурах, таких как светодиоды и силовая электроника. Хорошая устойчивость к химическим веществам, особенно к кислотам и щелочам. Хорошая устойчивость к химическим веществам, особенно к кислотам и щелочам. Хорошая устойчивость к химическим веществам, особенно к кислотам и щелочам.Благодаря своим превосходным свойствам, кристаллы семян карбида кремния стали незаменимым материалом в современной промышленности и технологии.

Особенности:

• Стабильность при высоких температурах:Он все еще может поддерживать хорошие физические и химические свойства в условиях высокой температуры.
• Низкий коэффициент теплового расширения:делает его менее восприимчивым к деформации при изменении температуры, что делает его подходящим для высокоточных приложений.

Технический параметр

Применение:

1Электроника: широко используется в производстве высокомощных и высокочастотных полупроводниковых устройств, таких как MOSFET и диоды.

2. Абразивы и режущие инструменты: используются для изготовления песочной бумаги, шлифовальных камней и режущих инструментов.

3Керамические материалы: используются для производства износостойких, высокотемпературных керамических деталей.

4Оптоэлектронные устройства: Отличная производительность в оптоэлектронных приложениях, таких как светодиоды и лазеры.

5. Материалы для теплового управления: используются в теплоотводах и материалах теплового интерфейса для улучшения эффективности теплораспределения электронных устройств.

Настройка:

Наша SiC кристаллическая семена субстрат является RoHS сертифицированным. Минимальное количество заказа составляет 10pc и цена в зависимости от случая.Время доставки в течение 30 дней и мы принимаем условия оплаты T / T. Наша способность к поставкам составляет 1000 штук/месяц. Размер SiC субстрата 2/4/6/8 дюйма. Место происхождения - Китай.