logo
ПРОДУКТЫ
ПРОДУКТЫ
Дом > ПРОДУКТЫ > Субстрат SiC > Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade

Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade

Детали продукта

Место происхождения: Китай

Фирменное наименование: zmsh

Условия оплаты и доставки

Получите самую лучшую цену
Выделить:

Прозрачный карбид кремниевый пластинка

,

Вафель из карбида кремния

,

4H-N Силиконовый карбид

материалы:
Кристалл SIC
Тип:
N
Размер:
2/3/4/6/8/12
Толщина:
500 мм±50 мм
Ориентация:
40,0 градуса от оси + 0,5 градуса в сторону <11-20>
Грубость поверхности (углеродная поверхность):
Ra < 0,5nm с углеродным лицом, готовым к эпилициду
Сопротивляемость:
< 0,25 ом.см
Грубость поверхности (силиконовая поверхность):
Оптически отполированные
TTV:
<10um>
Поклонитесь.:
<30um>
обруч:
<30um>
материалы:
Кристалл SIC
Тип:
N
Размер:
2/3/4/6/8/12
Толщина:
500 мм±50 мм
Ориентация:
40,0 градуса от оси + 0,5 градуса в сторону <11-20>
Грубость поверхности (углеродная поверхность):
Ra < 0,5nm с углеродным лицом, готовым к эпилициду
Сопротивляемость:
< 0,25 ом.см
Грубость поверхности (силиконовая поверхность):
Оптически отполированные
TTV:
<10um>
Поклонитесь.:
<30um>
обруч:
<30um>
Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade

 

4H-N 2/3/4/6/8/12-дюймовые подложки из карбида кремния (SiC) – Prime/Dummy/Research Grade

 


Эта серия продуктов предлагает высокочистые подложки из карбида кремния (SiC) различных диаметров (2", 3", 4", 6", 8" и 12"), предназначенные для передовых применений в полупроводниковой промышленности, силовой электронике и оптоэлектронике. Доступны в классах Prime (для устройств), Dummy (для тестирования процессов) и Research (экспериментальные), эти подложки обладают отличной теплопроводностью (> 400 Вт/м·K для SiC), высоким напряжением пробоя и превосходной химической стабильностью.

 

Класс Prime обеспечивает сверхнизкую плотность дефектов, что делает его идеальным для высокопроизводительных устройств, таких как MOSFET, диоды Шоттки и радиочастотные компоненты. Класс Dummy предлагает экономичные решения для оптимизации процессов, в то время как класс Research поддерживает академические и промышленные исследования и разработки в области технологий широкозонных полупроводников.

Благодаря настраиваемым спецификациям (легирование, толщина, полировка), эти подложки отвечают строгим требованиям силовой электроники, связи 5G и применений в электромобилях (EV).

 

 

Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade 0

 


 

Таблица спецификаций

 

 

Свойства Спецификации
Материал 4H SiC
Упаковка Упаковка для одной пластины
Тип N-тип
Диаметр 150 мм ±0,25 мм (4 дюйма)
Толщина 500μм ±50 μм
Шероховатость поверхности (углеродная сторона) Ra ≤0,5 нм с готовой к эпитаксии углеродной стороной
Шероховатость поверхности (кремниевая сторона) Оптически полированная
Ориентации 4,0 градуса вне оси ±0,5 градуса в направлении<11-20>
MPD ≤0,5/см² или меньше
TTV/BOW/Warp <10μм /<30μм /<30μм
FWHM ≤30 угловых секунд или меньше
Основная и вторичная плоскость НЕ ТРЕБУЕТСЯ (Нет шлифовки плоскостей)
Удельное сопротивление <0,25 Ом.см

 


 

Применение SiC пластин

 

Наши подложки 4H-N разработаны для передовых технологий в различных отраслях:

 

1. Силовая электроника
- Электромобили (EV): Высоковольтные SiC MOSFET и инверторы для эффективного преобразования энергии.
- Системы быстрой зарядки: Обеспечивает компактные, высокоэффективные зарядные устройства для электромобилей и бытовой электроники.

- Приводы промышленных двигателей: Надежная работа в условиях высоких температур.

 

2. РЧ и беспроводная связь
- Базовые станции 5G: Высокочастотные транзисторы с низкими потерями сигнала.
- Радарные и спутниковые системы: Улучшенная мощность для аэрокосмических и оборонных применений.

 

3. Оптоэлектроника
- УФ-светодиоды и лазеры: Превосходное управление тепловым режимом для применений с высокой яркостью.

 

4. Исследовательские технологии
- Исследования широкозонных полупроводников: Фундаментальные исследования свойств материалов.

 

 

Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade 1Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade 2

 


 

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

 

1. Можно ли настроить эти подложки с точки зрения легирования и толщины?

Да, мы предлагаем варианты N-типа (легированные азотом) и P-типа (легированные алюминием) с регулируемым удельным сопротивлением. Толщина также может быть настроена.

 

2. Каково время выполнения заказа?

- Стандартные размеры (2"-6"): 2-4 недели.
- Большие размеры (8"-12"): 4-6 недель (в зависимости от наличия).

 

3. Как следует хранить и обращаться с подложками?

- Хранить в условиях чистой комнаты (класс 1000 или лучше).
- Обращаться в нитриловых перчатках, чтобы избежать загрязнения.
- Избегать механического напряжения на краях.

Аналогичные продукты