Выделить:
Прозрачный карбид кремниевый пластинка
, Вафель из карбида кремния
, 4H-N Силиконовый карбид
Материал: |
Кристалл SIC |
тип: |
N |
Размер: |
2/3/4/6/8/12 |
Толщина: |
500 мм±50 мм |
Ориентация: |
40,0 градуса от оси + 0,5 градуса в сторону <11-20> |
Грубость поверхности (углеродная поверхность): |
Ra < 0,5nm с углеродным лицом, готовым к эпилициду |
Сопротивляемость: |
< 0,25 ом.см |
Грубость поверхности (силиконовая поверхность): |
Оптически отполированные |
TTV: |
<10um> |
Поклонитесь.: |
<30um> |
обруч: |
<30um> |
Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade
4H-N 2/3/4/6/8/12 дюймовый карбид кремния (SiC) субстрат Prime/Dummy/Research Grade
Эта серия продуктов обеспечивает высокочистые карбиды кремния (SiC) субстраты в нескольких диаметрах (2", 3", 4", 6", 8" и 12"), предназначенные для передовых полупроводников, электроника мощности,и оптико-электронные приложенияДоступны в Prime (устройство-класса), Dummy (процесс-испытания), и исследования (экспериментальные) классы, эти субстраты отличаются отличной теплопроводностью (> 400 W/m·K для SiC), высокое разрывное напряжение,и превосходную химическую стабильность.
Prime Grade обеспечивает сверхнизкую плотность дефектов, что делает его идеальным для высокопроизводительных устройств, таких как MOSFET, диоды Шоттки и радиочастотные компоненты.The Dummy Grade предлагает экономически эффективные решения для оптимизации процессов, в то время как исследовательский класс поддерживает академические и промышленные НИОКР в области полупроводниковых технологий широкого диапазона.
Благодаря настраиваемым спецификациям (допинг, толщина, полировка), эти субстраты отвечают строгим требованиям к силовой электронике, связи 5G и применениям для электромобилей (EV).
Таблица спецификаций
| Свойства |
Спецификации |
| Материал |
4H SiC |
| Упаковка |
Однопакетные пластинки |
| Тип |
N тип |
| Диаметр |
150 мм ± 0,25 мм (4 дюйма) |
| Толщина |
500 мкм ± 50 мкм |
| Грубость поверхности (углеродная поверхность) |
Ra ≤0,5nm с углеродным лицом, готовым к эпи |
| Грубость поверхности (силиконовая поверхность) |
Оптически отполированные |
| Ориентация |
40,0 градуса от оси ±0,5 градуса в сторону <11-20> |
| MPD |
≤ 0,5/см2 и менее |
| TTV/BOW/Warp |
< 10μm /< 30μm /< 30μm |
| FWHM |
≤30 дуговой секунды или менее |
| Первичная и вторичная квартира |
Не требуется (не допускается плоская шлифовка) |
| Сопротивляемость |
< 0,25 ом.см |
Применение SiC-вафры
Наши 4H-N субстраты разработаны для передовых технологий в различных отраслях:
1Электротехника
- Электрические транспортные средства (EV): высоковольтные SiC MOSFET и инверторы для эффективного преобразования энергии.
- Системы быстрой зарядки: позволяет использовать компактные высокоэффективные зарядные устройства для электромобилей и бытовой электроники.
- Промышленные двигатели: надежные характеристики в условиях высокой температуры.
2. радиочастотная и беспроводная связь
- Базовые станции 5G: высокочастотные транзисторы с низкой потерей сигнала.
- Радарные и спутниковые системы: улучшенная обработка энергии для аэрокосмических и оборонных приложений.
3. Оптоэлектроника
- Ультрафиолетовые светодиоды и лазеры: превосходное тепловое управление для применений с высокой яркостью.
4Исследовательские технологии
- Исследования полупроводников широкого диапазона: фундаментальные исследования свойств материалов.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
1Могут ли эти субстраты быть настроены с точки зрения допинга и толщины?
Да, мы предлагаем варианты N-типа (допированный азотом) и P-типа (допированный алюминием) с регулируемым сопротивлением.
2- Сколько времени требуется для заказа?
- Стандартные размеры: 2-4 недели.
- Большие размеры (8"-12"): 4-6 недель (в зависимости от наличия).
3Как следует хранить и обращаться с субстратами?
- Хранить в условиях чистой комнаты (класс 1000 и выше).
- Держите его в нитриловых перчатках, чтобы избежать загрязнения.
- Избегайте механического напряжения на краях.
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
