ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ > Субстрат SiC > 2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Категории

защитное прозрачное стекло сапфира

(27)

Синтетическая драгоценная камень

(69)

Оболочка лаборатории

(21)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Name: 2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 3C-N SiC
Price: лично переговорить USD
Availability: InStock

Детали продукта

Место происхождения: Китай

Фирменное наименование: ZMSH

Сертификация: rohs

Номер модели: 3C-N SiC

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 10%

Цена: by case

Упаковывая детали: пластиковая коробка на заказ

Время доставки: в 30days

Условия оплаты: T/T

Поставка способности: 1000pc/month

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                50.8мм Сик Силиконовый карбид субстрат, Исследовательский класс Сик Силиконовый карбид субстрат
                              

Размер:	2 дюйма	Диэлектрическая постоянная:	9,7
Твердость поверхности:	ВВ0.3>2500	Плотность:	3.21 Г/см3
Коэффициент теплового расширения:	4,5 X 10-6/K	Прочность на растяжение:	>400MPa
Напряжение отключения:	5,5 МВ/см	Заявления:	Электроника, датчик

Размер:	2 дюйма
Диэлектрическая постоянная:	9,7
Твердость поверхности:	ВВ0.3>2500
Плотность:	3.21 Г/см3
Коэффициент теплового расширения:	4,5 X 10-6/K
Прочность на растяжение:	>400MPa
Напряжение отключения:	5,5 МВ/см
Заявления:	Электроника, датчик

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Описание продукта:

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) - это полупроводниковый материал с широкой полосой пробела с хорошими электрическими и тепловыми свойствами, особенно подходящий для высокочастотных,приложения для высокопроизводительных и электронных устройствДопинг N-типа обычно достигается путем введения таких элементов, как азот (N) и фосфор (P), что делает материал электронегативным и подходящим для различных конструкций электронных устройств.Разрыв в диапазоне примерно 3.Допинг N-типа по-прежнему поддерживает высокую мобильность электронов, что повышает производительность устройства.Отличная теплопроводность помогает улучшить способность теплораспределяющих устройств. Он обладает хорошей механической прочностью и подходит для использования в суровой среде. Он имеет хорошую устойчивость к широкому спектру химических веществ и подходит для промышленных применений.используется в высокоэффективных преобразователях мощности и приводах, подходящий для электромобилей и систем возобновляемой энергетики.

Особенности:

· Широкий диапазон пропускания: диапазон пропускания приблизительно 3,0 eV для применения при высоких температурах и высоком напряжении.

· Высокая мобильность электронов: допинг N-типа обеспечивает хорошую мобильность электронов и повышает общую производительность устройства.

· Отличная теплопроводность: она обладает отличной теплопроводностью и эффективно улучшает производительность рассеивания тепла, подходящая для применения на высокой мощности.

· Хорошая механическая прочность: имеет высокую прочность и сжимаемость, и подходит для использования в суровой среде.

· Устойчивость к химическим веществам: хорошая устойчивость к широкому спектру химических веществ, повышающая устойчивость материала.

· Регулируемые электрические характеристики: путем корректировки концентрации допинга могут быть достигнуты различные электрические свойства для удовлетворения потребностей различных приложений.

Технические параметры:

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс 2

Применение:

1Электроника мощности: для высокоэффективных преобразователей мощности, инверторов и приводов, широко используемых в электромобилях и системах возобновляемой энергетики.

2. радиочастотное и микроволновое оборудование: радиочастотное усилители, микроволновое оборудование, особенно подходящие для связи и радиолокационных систем.

3Оптоэлектроника: может использоваться в качестве строительного блока для светодиодов и световых детекторов, особенно в синих и ультрафиолетовых приложениях.

4Датчики: применяются к широкому спектру датчиков в условиях высокой температуры и высокой мощности, обеспечивая надежную производительность.

5Беспроводное заряжение и управление батареей: используется в системах беспроводной зарядки и устройствах управления батареей для повышения эффективности и производительности.

6Промышленное электрическое оборудование: используется в системах автоматизации и управления для повышения энергоэффективности и стабильности системы.

Настройка:

Наш SiC субстрат доступен в типе 3C-N и сертифицирован RoHS. Минимальное количество заказа составляет 10pc, а цена зависит от случая. Детали упаковки - это пластиковые коробки на заказ.Время доставки в течение 30 дней и мы принимаем условия оплаты T / T. Наша способность к поставкам составляет 1000 штук/месяц. Размер SiC субстрата 2 дюйма. Место происхождения - Китай.

Наши услуги:

1Производство и продажа на заводе.

2Быстрые, точные цитаты.

3Мы ответим вам в течение 24 рабочих часов.

4. ODM: индивидуальный дизайн доступен.

5Скорость и ценная доставка.

Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Какой способ доставки и стоимость?
A: ((1) Мы принимаем DHL, Fedex, EMS и т.д.
(2) Если у вас есть собственный экспресс-счет, это здорово. Если нет, мы можем помочь вам отправить их.
Груз соответствует фактическому расчету.

В: Могу ли я настроить продукцию в соответствии с моими потребностями?
О: Да, мы можем настроить материал, спецификации и форму, размер на основе ваших потребностей.

Tags:

12 дюймов Диаметр 300 мм SIC субстрат эпитаксиальная полированная вафель Кремниевой карбид Ингот Прайм-класс 4H-N Тип проводящий солнечный фотоэлектрический

Получите самую лучшую цену

2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 12 дюймов Силиконовый карбид пластина SiC 4H-N Dummy Grade Rrime Grade Высокая твердость полупроводниковые материалы

Получите самую лучшую цену

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,05,0 мм/10,010,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Вафля фосфида индия

Части сапфира

защитное прозрачное стекло сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Синтетический сапфир штанга

Кремниевая пластина ИК

Плита плавленного кварца

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

50.8мм Сик Силиконовый карбид субстрат

Исследовательский класс Сик Силиконовый карбид субстрат

Описание продукта:

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Особенности:

Технические параметры:

Применение:

Настройка:

Наши услуги:

1Производство и продажа на заводе.

2Быстрые, точные цитаты.

3Мы ответим вам в течение 24 рабочих часов.

4. ODM: индивидуальный дизайн доступен.

5Скорость и ценная доставка.

В: Могу ли я настроить продукцию в соответствии с моими потребностями?О: Да, мы можем настроить материал, спецификации и форму, размер на основе ваших потребностей.

вафля сик,

субстрат сик,

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Вафля фосфида индия

Части сапфира

защитное прозрачное стекло сапфира

В: Могу ли я настроить продукцию в соответствии с моими потребностями?
О: Да, мы можем настроить материал, спецификации и форму, размер на основе ваших потребностей.