Детали продукта
Место происхождения: КНР
Фирменное наименование: ZMSH
Сертификация: rohs
Номер модели: SiC 6H-P
Условия оплаты и доставки
Цена: by case
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 1000pc/month
Polytype: |
6H-P |
Плотность: |
30,0 г/см3 |
Сопротивляемость: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Поверхностная ориентация: |
За пределами оси: 2,0° к [110] ± 0,5° |
Грубость: |
Польский Ra≤1 nm |
LTV/TTV/Bow/Warp: |
≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм |
Опаковка: |
Кассета с несколькими пластинами или контейнер с одной пластинкой |
Применение: |
Усилители микроволновой сигнализации, антенны |
Polytype: |
6H-P |
Плотность: |
30,0 г/см3 |
Сопротивляемость: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Поверхностная ориентация: |
За пределами оси: 2,0° к [110] ± 0,5° |
Грубость: |
Польский Ra≤1 nm |
LTV/TTV/Bow/Warp: |
≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм |
Опаковка: |
Кассета с несколькими пластинами или контейнер с одной пластинкой |
Применение: |
Усилители микроволновой сигнализации, антенны |
Карбид кремния (SiC) представляет собой соединенный полупроводниковый материал, состоящий из кремния (Si) и углерода (C), который обладает уникальными физическими и химическими свойствами.6H-SiC представляет собой политип карбида кремния с шестиугольной структурой и шириной полосы 3.02 eV, который обладает специфическими электрическими и тепловыми свойствами. 6H-P тип карбида кремния субстрата, в частности 6H-SiC субстрата с проводимостью типа P имеет угол вне оси 4,0°,который помогает оптимизировать электрические характеристики и тепловую стабильность устройства.
Широкополосный разрыв:6H-SiC имеет ширину полосы 3,02 eV, что значительно шире, чем 1,1 eV кремния (Si).Эта характеристика делает 6H-SiC чрезвычайно стабильным в условиях высокой температуры с низкой скоростью утечки тока, который подходит для высокотемпературной электротехники.
2Высокая теплопроводность:Высокая теплопроводность 6H-SiC помогает улучшить рассеивание тепла в приложениях высокой мощности, уменьшить накопление тепла и улучшить рабочую эффективность и надежность устройства.
3Электрическое поле высокого разрыва:6H-SiC обладает высокой прочностью электрического поля при разрыве и может выдерживать более высокие напряжения без разрыва, что подходит для применения в области высоковольтной электротехники.
4. Электрическая проводимость типа P:Субстрат P-типа Sic имеет специфические электрические свойства, его электроны имеют более высокую подвижность по отношению к отверстиям и могут получать меньшее падение напряжения,способствующий контролю поведения устройства.
5. Оптимизация угла вне оси:Конструкция откоса на 4,0° помогает оптимизировать электрическую производительность и тепловую стабильность устройства и улучшить общую производительность устройства.
6 дюймовый диаметр Кремниевого карбида (SiC) субстрат Спецификация
Второй класс.Уровень |
精选级 ((Z 级) Продукция MPD нулевая Степень (Z) Уровень) |
工业级 ((П级) Стандартное производство Степень (P) Уровень) |
测试级 ((D级) Скриншоты (D Уровень) |
||
Диаметр | 145.5 мм ~ 150,0 мм | ||||
厚度 Толщина | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
晶片方向 Ориентация пластинки |
- ОФфОсь: 2,0°-4,0°в сторону [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, на оси: 111°± 0,5° для 3C-N |
||||
微管密度 ※ Плотность микротруб | 0 см-2 | ||||
电 阻 率 ※ Сопротивление | p-тип 4H/6H-P | ≤0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
n-тип 3C-N | ≤ 0,8 мΩ ̊ см | ≤ 1 м Ω ̊ см | |||
主定位边方向 Первичная плоская ориентация | 4H/6H-P |
- {1010} ± 5,0° |
|||
3C-N |
- {110} ± 5,0° |
||||
主定位边长度 Первичная плоская длина | 32.5 мм ± 2,0 мм | ||||
次定位边长度 Вторичная плоская длина | 180,0 мм ± 2,0 мм | ||||
次定位边方向 Вторичная плоская ориентация | Кремний с поднятой стороной: 90° CW. от Prime flat ± 5,0° | ||||
边缘删除 Edge исключение | 3 мм | 6 мм | |||
局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow /Warp | ≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм | ≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm | |||
поверхностная грубость ※ грубость | Польский Ra≤1 nm | ||||
CMP Ra≤0,2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||
边缘裂纹 (强光灯观测) Крайние трещины от высокой интенсивности света | Никаких | Кумулятивная длина ≤ 10 мм, одиночная длина ≤ 2 мм | |||
六方空洞 ((强光灯测) ※ Шестерковые пластины с высокой интенсивностью света | Кумулятивная площадь ≤ 0,05% | Кумулятивная площадь ≤ 0,1% | |||
多型 ((强光灯观测) ※ Политипные зоны с высокой интенсивностью света | Никаких | Совокупная площадь ≤ 3% | |||
Включения из углерода | Кумулятивная площадь ≤ 0,05% | Кумулятивная площадь ≤ 3% | |||
# Силиконовая поверхность царапается высокоинтенсивным светом | Никаких | Кумулятивная длина ≤ 1 × диаметр пластины | |||
崩边 ((强光灯观测) Краевые чипы высокая интенсивность света | Не допускается ширина и глубина ≥ 0,2 мм | 5 допускается, ≤ 1 мм каждый | |||
Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью | Никаких | ||||
包装 Упаковка | Кассета с несколькими пластинами или контейнер с одной пластинкой |
Примечания:
※ Ограничения дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением зоны исключения краев.
1Силовое устройство:
Субстрат карбида кремния 3C-N широко используется в высокоточных полупроводниковых транзисторах с эффектом поля оксида металла (MOSFET) и других устройствах питания.из-за его превосходной проводимости и высокой температурной устойчивости, что делает его основным материалом высоковольтного и высокочастотного электротехнического оборудования.
2Оборудование для высокочастотных коммуникаций:
В области радиочастотных и микроволновых коммуникаций,3C-N карбид кремния субстрат используется для изготовления высокопроизводительных радиочастотных устройств из-за его высокочастотных характеристик и низких потерь характеристик.
3Оптоэлектронное оборудование:
Из-за высокой теплопроводности и оптических свойств субстраты SIC типа 3C-N могут использоваться в оптоэлектронных светодиодах и других оптоэлектронных устройствах.
4. Новые энергетические автомобили:
Новые энергетические транспортные средства имеют растущий спрос на высокоэффективные и низкоубыточные устройства питания, а субстраты карбида кремния 3C-N имеют широкие перспективы применения в этой области.
1. Вопрос: Что представляет собой субстрат карбида кремния 6H-P вне оси на 4,0°?
Ответ: Кремниевый карбид субстрат 6H-P вне оси на 4,0° относится к карбиду кремния материала с кристаллической структурой 6H, его проводящий тип P-тип, и направление резки 4.0° от кристаллического шпинделяЭта конструкция предназначена для оптимизации электрических свойств и тепловой устойчивости материалов из карбида кремния для удовлетворения потребностей в производстве высокопроизводительных полупроводниковых устройств.
2. Вопрос: Что такое карбид кремния типа P?
О: Кремниевый карбид P-типа - это положительно заряженный полупроводниковый материал, образованный путем включения трехвалентных элементов (таких как алюминий или бор), с отверстиями в качестве основных носителей.
Тег: #Sic wafer, #Silicon carbide substrate, #Sic 6H-P тип, #Off axis: 4.0° в сторону, #6H высоко-P-допированный тип