тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продукции ФИКТИВНЫЕ, субстраты кремниевого карбида для полупроводникового устройства, 4h-semi 4h-N подгоняло квадратные вафли sic формы Зоны применения ...Взгляд больше
Сообщения посетителяВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
Пока нет комментариев
подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm