Ключевые слова [ silicon carbide substrate ] совпадение 148 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

silicon carbide substrate Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(76)

Субстрат SiC

(118)

Сапфир оптически Виндовс

(69)

Вафля фосфида индия

(33)

Части сапфира

(67)

защитное прозрачное стекло сапфира

(27)

Синтетическая драгоценная камень

(68)

Оборудование полупроводника

(14)

Вафля LiNbO3

(15)

Вафля GaAs

(25)

Синтетический сапфир штанга

(11)

Кремниевая пластина ИК

(21)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(19)

Оболочка лаборатории

(20)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

2-дюймовый Сик субстрат 6H-N Тип толщины 350 мм 650 мм Сик вафель

Получите самую лучшую цену

Видео

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

Получите самую лучшую цену

Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с твердостью 9,2

Получите самую лучшую цену

Отполированные керамические изделия глинозема субстрата Al2O3 SIC керамические

Получите самую лучшую цену

6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD

Получите самую лучшую цену

6" высокочистый кремний 4H-Semi SIC фиктивный класс полупроводниковые пластины LED 5G D класс

Получите самую лучшую цену

Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия

Получите самую лучшую цену

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

Получите самую лучшую цену

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену

Семенные пластинки SiC толщиной 8 дюймов 600±50um 4H типового производства для роста кристаллов карбида кремния

Получите самую лучшую цену

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

Получите самую лучшую цену

4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс

Получите самую лучшую цену

4 дюймовые Си-вофли Диа 100 мм Толщина 350um Ориентация <100> DSP SSP Настраиваемые Кремниевые вафли N типа P типа

Получите самую лучшую цену

Фиктивная толщина вафли Dia150mm 4H-N 500mm субстрата ранга 6Inch Sic

Получите самую лучшую цену

лазер sic режа обслуживание для обломоков sic плитами 0.5x0.5mm квадратными

Получите самую лучшую цену

3 4 5 6 7 8 9 10