вафли SiC ранга ранга продукции 8inch dia200mm 4H-N фиктивные Субстраты SiC ранга ранга продукции ФИКТИВНЫЕ, субстраты кремниевого карбида для полупроводникового устройства, Зоны применения 1 диод выс...Взгляд больше
Сообщения посетителяВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
Пока нет комментариев
Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC