Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники Описание продукта Субстраты SiC являются ключевыми материалами в области технологии полупроводников, предл...Взгляд больше
Сообщения посетителяВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
Пока нет комментариев
Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники