Детали продукта
Место происхождения: китайский
Фирменное наименование: ZMSH
Сертификация: rohs
Номер модели: Схемообразованный сапфирный субстрат (PSS)
Условия оплаты и доставки
Количество мин заказа: 25
Цена: by case
Упаковывая детали: одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки: 2-4weeks
Условия оплаты: T/T
Положение:: |
Узористый сапфировый субстрат |
Размер:: |
2 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов |
Завершение передней поверхности:: |
Узорчатый |
Окончание поверхности задней части:: |
SSP: мелкомолоченный, Ra=0,8-1,2um; DSP: эпиполированный, Ra<0,3nm |
Лазерная марка:: |
Задняя сторона |
Исключение края:: |
≤ 2 мм |
Изготовление на заказ:: |
Сапфирный ПСС различной ориентации; сапфирный субстрат с нанометровым рисунком ((NPSS) |
Применение:: |
Светодиоды (LED) |
Положение:: |
Узористый сапфировый субстрат |
Размер:: |
2 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов |
Завершение передней поверхности:: |
Узорчатый |
Окончание поверхности задней части:: |
SSP: мелкомолоченный, Ra=0,8-1,2um; DSP: эпиполированный, Ra<0,3nm |
Лазерная марка:: |
Задняя сторона |
Исключение края:: |
≤ 2 мм |
Изготовление на заказ:: |
Сапфирный ПСС различной ориентации; сапфирный субстрат с нанометровым рисунком ((NPSS) |
Применение:: |
Светодиоды (LED) |
Схемообразованный сапфировый субстрат (PSS) - это миниатюрный сапфировый субстрат. Он широко используется в высокопроизводительных светоизлучающих диодах на основе нитрида галлия (LED),которые являются наиболее перспективными альтернативными источниками света для общего освещенияС прорывом в технологии модели-сапфировой подложки, эффективность высокоярких светодиодов на основе галлиевого нитрида достигла рекордного уровня 150 lm/W. The efficiency improvement of gallium nitride based leds using patterned sapphire substrate technology is usually attributed to the improvement of light extraction efficiency and internal quantum efficiencyРегулярный рисунок, вырабатываемый на сапфировой подложке, компенсирует эффект от общего внутреннего отражения на интерфейсе нитрид галлия/сапфир.Внутренняя квантовая эффективность улучшается из-за возможного бокового роста GaN дефильма на сапфировой подложке на основе рисунков., что уменьшает вывих нитей.
Подводя итог, эпитаксиальные слои GaN, выращенные на PSS, производят эпитаксиальные поперечные дефекты и меньше дефектов разрыва между GaN и сапфировым субстратом.параметры решетки PSS лучше соответствуют GaN, а эпитаксиальный рост GaN на PSS приводит к меньшей плотности вывих и несоответствию показателя преломления, тем самым улучшая эпитаксиальное качество.
Узорированный сапфирный субстрат ((PSS) - это процесс создания определенного микрометрового узора в форме купола, конуса или пирамиды на сапфировом субстрате.Неравномерные узоры на сапфировых подложках могут вызывать рассеивание или преломление света, тем самым повышая световую эффективность.
|
Структура кристалла |
Шестиугольный |
|
Константа решетки ((nm) |
a=4.76Å c=12.99Å |
|
Плотность ((g/cm)3) |
3.98 |
|
Точка плавления ((°C) |
2040 |
|
Скромность Моха. |
9 |
|
Диэлектрическая постоянная |
9.3 ((Площадь) 11.5 ((Площадь C) |
|
Теплопроводность ((W/cm.K) |
0.46 |
|
Тепловое расширение |
6.7*10-6/k ((C плоскость) 5,0*10-6/k(Самолет) |
|
Индекс преломления |
1.762-1.777 |
|
Передача |
Испытательный образец:Сапфир:D76.2*4 мм |
|
УФ:200~380nm 74%~84% |
|
|
Видимый свет: 380-760 нм 85% |
|
|
Инфракрасное: 760 ~ 1000 нм 85% |
|
|
Дальний инфракрасный спектр:> 1000 нм 80% ~ 100% |
|
Положение |
Узористый сапфирный субстрат ((2 ~ 6 дюймов) |
||
|
Диаметр |
500,8 ± 0,1 мм |
1000,0 ± 0,2 мм |
1500,0 ± 0,3 мм |
|
Толщина |
430 ± 25 мкм |
650 ± 25 мкм |
1000 ± 25 мкм |
|
Ориентация поверхности |
C-плоскость (0001) под углом в сторону оси M (10-10) 0,2 ± 0,1° |
||
|
C-плоскость (0001) вне угла к оси A (11-20) 0 ± 0,1° |
|||
|
Первичная плоская ориентация |
А-плоскость (11-20) ± 1,0° |
||
|
Первичная плоская длина |
160,0 ± 1,0 мм |
300,0 ± 1,0 мм |
47.5 ± 2,0 мм |
|
Р-Планета |
В девять. |
||
|
Передняя поверхность |
По образцу |
||
|
Окончание поверхности спины |
SSP: мелкомолоченный, Ra=0,8-1,2um; DSP: эпиполированный, Ra<0,3nm |
||
|
Лазерная марка |
Сзади |
||
|
TTV |
≤ 8 мкм |
≤ 10 мкм |
≤ 20 мкм |
|
ВЫБОК |
≤ 10 мкм |
≤ 15 мкм |
≤ 25 мкм |
|
WARP |
≤ 12 мкм |
≤ 20 мкм |
≤ 30 мкм |
|
Исключение краев |
≤ 2 мм |
||
|
Спецификация образца |
Структура формы |
Купол, Конус, Пирамида |
|
|
Высота узора |
10,6 - 1,8 мкм |
||
|
Диаметр узора |
20,75 ~ 2,85 мкм |
||
|
Пространство шаблонов |
00,1-0,3 мкм |
||
Спецификации настройки:
* Сапфировый субстрат с нанометровым рисунком ((NPSS).
* Сапфировые ПСС различной направленности.
1Улучшенная эффективность экстракции светодиодного света: PSS улучшает эффективность экстракции светодиодного света за счет снижения внутреннего отражения и увеличения световой выбросы через поверхностные узоры.
2Улучшенное качество кристаллов: обрабатываемые поверхности помогают уменьшить дефекты эпитаксиального роста и улучшить качество кристаллов.
3Улучшенная производительность теплоотведения: моделированная структура увеличивает площадь теплоотведения и помогает снизить рабочую температуру светодиода.
4• Сниженные затраты: более высокая эффективность освещения и урожайность уменьшают материальные отходы и снижают затраты на производство.
1Вопрос: В чем разница между ПСС и плоскими сапфировыми субстратами?
A: PSS: имеет узористую поверхность, которая улучшает экстракцию света и улучшает качество роста кристаллов.
Плоские сапфировые субстраты: имеют гладкую поверхность, что приводит к более низкой эффективности экстракции света и более высокому внутреннему отражению.
2. Вопрос: Каковы распространенные шаблоны, используемые в ПСС?
Ответ: Пирамидальные узоры: эффективны для извлечения света и эпитаксиального роста.
Конусовые узоры: похожи на пирамиды, но с округлыми концами.
Массивы микролинз: оптимизированы для максимизации световой мощности.
Шестиугольные узоры: обеспечивают равномерное распределение света и улучшение роста кристаллов.
3. Вопрос: Почему сапфир используется в качестве субстрата для PSS?
О: высокая прозрачность: идеально подходит для светоизлучающих приложений.
Химическая устойчивость: устойчивость к суровым химическим условиям.
Тепловая устойчивость: может выдерживать высокие температуры во время производства светодиодов.
Стоимость: относительно доступная по сравнению с другими субстратами, такими как карбид кремния (SiC).
Тэги: #Сображенный сапфировый субстрат (PSS), #Сапфировый пластинка, #Плоские сапфировые субстраты, #Твердость 9.0, #PSS, #NPSS, # светодиоды (LED), # производство светодиодов, # энергетические устройства на основе GaN
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
