logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [silicon carbide substrate ]

  совпадение  

213

  ПРОДУКТЫ
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма SiC субстрат 330um Толщина 4H-N Тип Производственный класс Производство в сети Видео

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма SiC субстрат 330um Толщина 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой Производство в сети

субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой

Получите самую лучшую цену
Купить SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N Производство в сети Видео

SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический Производство в сети Видео

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Получите самую лучшую цену
Купить 4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина Производство в сети Видео

4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина

Получите самую лучшую цену
Купить Свободные стоящие субстраты 4inch GaN вафли нитрида галлия HVPE Производство в сети

Свободные стоящие субстраты 4inch GaN вафли нитрида галлия HVPE

Получите самую лучшую цену
Купить 3 дюйма HPSI SiC толщина субстрата 500um Prime Dummy исследовательский класс прозрачный оптический класс для AR очков Производство в сети

3 дюйма HPSI SiC толщина субстрата 500um Prime Dummy исследовательский класс прозрачный оптический класс для AR очков

Получите самую лучшую цену
Купить объектив блока Sic высокой резистивности термальной проводимости оптически для оптики суммы Производство в сети

объектив блока Sic высокой резистивности термальной проводимости оптически для оптики суммы

Получите самую лучшую цену
Купить Высокочистая керамическая изоляционная подложка из SiC, устойчивая к высоким температурам Производство в сети

Высокочистая керамическая изоляционная подложка из SiC, устойчивая к высоким температурам

Получите самую лучшую цену
Купить Прозрачное 10x15mm субстрат GaO окиси галлия 001 ориентации для применения СИД Производство в сети

Прозрачное 10x15mm субстрат GaO окиси галлия 001 ориентации для применения СИД

Получите самую лучшую цену
Купить 3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты Производство в сети Видео

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Получите самую лучшую цену
Купить Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC Производство в сети

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюймовые 4 дюймовые 6 дюймовые модели сапфирового субстрата PSS для светодиодов светодиодов Производство в сети

2 дюймовые 4 дюймовые 6 дюймовые модели сапфирового субстрата PSS для светодиодов светодиодов

Получите самую лучшую цену
Купить Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники Производство в сети Видео

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального Производство в сети

Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс Производство в сети

12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену
3 4 5 6 7 8 9 10
3 4 5 6 7 8 9 10
Хорошая цена 12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
Твой поиск  [ silicon carbide substrate ]  совпадение 213 ПРОДУКТЫ
Купить 4H-N SiC субстрат Кремниевый углеродный субстрат Квадрат 5 мм * 5 мм Специализированная толщина 350um Prime Grade / Dummy Grade Производство в сети

4H-N SiC субстрат Кремниевый углеродный субстрат Квадрат 5 мм * 5 мм Специализированная толщина 350um Prime Grade / Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Толщина 350мм 500мм Си Си пластинка Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

2 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Толщина 350мм 500мм Си Си пластинка Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм Производство в сети

4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель Производство в сети

4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир Производство в сети

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic Производство в сети

резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры Производство в сети

Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянные плиты обломоков размера 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC Производство в сети

Подгонянные плиты обломоков размера 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные Производство в сети

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm Производство в сети Видео

подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm

Получите самую лучшую цену
3 4 5 6 7 8 9 10