6 субстрат дюйма 1.0мм керамический, плита глинозема керамическая для обработки полупроводника
-
Высокий свет
Карбид кремния керамический
,Субстрат глинозема керамический
-
МатериалСубстраты АлН керамические
-
Применениякерамические плиты для обработки полупроводника
-
цветбелизна или красный цвет или синь
-
Размерподгонянный размер
-
Чистоты98%
-
Место происхожденияКитай
-
Фирменное наименованиеzmkj
-
Номер моделиАЛН
-
Количество мин заказа20шт
-
Ценаby case
-
Упаковывая деталикоробка кассеты 25пкс
-
Время доставки10-20days
6 субстрат дюйма 1.0мм керамический, плита глинозема керамическая для обработки полупроводника
субстрат АлН нитрида 6инч 1.0ммАлуминум керамический, высокая термальная проводимость, подгонянное АлН керамическое, керамические субстраты 6инч
АлН вводит
Нитрид алюминия (АлН) керамический имеет высокую термальную проводимость (5-10 раз как глинозем керамический),
низкие диэлектрическая константа и коэффициент энергопотерь, хорошая изоляция и превосходные механические свойства, нетоксическое, высокое термальное сопротивление, химическая устойчивость, и линейный коэффициент расширения подобны с Си, который широко использован в компонентах связи, приведенной наивысшей мощности, электронных устройствах силы и
другие поля. Особенные продукты спецификаций можно произвести на запросах.
ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОДУКТА
Высокая термальная проводимость, высокая флексурал прочность, высокая температура, хорошая электрическая изоляция
Низкие диэлектрическая константа и потеря
ПРИМЕНЕНИЯ
-
Компоненты РФ/Микроваве
-
Модуль силы
-
Трансформаторы
-
Пакет СИД наивысшей мощности
-
Подводн-держатели лазерного диода
-
Подводн-держатель обломока СИД
-
Микроэлектронные пакеты
-
Транзисторы
Наша сотрудничая фабрика может приложила процесс отливк-ленты для производства субстрата глинозема. С хорошей термальной проводимостью, изоляцией, сопротивлением термального удара, хорошим сопротивлением и анти-асид и
алкали етк., наши керамические субстраты можно использовать в толстопленочном гибридном основании интегральных схема (HIC), излучать СИД керамическом, модуле силы, полупроводниковых устройствах и других полях.
Особенность & Адвантагемент АлН
| - Название продукта: |
Нитрид алюминия/АИН керамический субстрат |
| - Материал: | Нитрид алюминия/АлН |
| - Типичные характеристики: |
1. Очень высоко термальная проводимость 2. Хорошая электрическая изоляция 3. Коррозионная устойчивость 4. Хорошая плоскостность |
| - Типичные применения: |
1. Электронное устройство силы 2. СИД высокой яркости 3. Коммуникационное устройство |
| Свойства/материал | Глинозем 96% | АлН |
| Плотность (г/км3) | 3,6 | 3,3 |
| Цвет | Белый | Серый |
| Диэлектрическая прочность (КВ/мм) | ≥17 | ≥17 |
| Диэлектрическая константа (1МХз) | 10,6 | 8,9 |
| Резистивность тома (@20°К, Ω.км) | ≥1014 | ≥1014 |
| Термальная проводимость (@20°К, В/мк) | ≥24 | ≥175 |
| Коэффициент теплового расширения (10-6/°К) | 6.5-8.0 | 4,8 |
| Флексурал прочность (МПа) | ≥350 | ≥450 |
| Толщина (мм) | ширина лентхкс (мм) | ||||||||||
| 0,385 |
2 ″ * 2 ″ 50.8мм*50.8мм
|
3 ″ * 3 ″ 76.2мм*76.2мм
|
4 ″ * 4 ″ 101.6мм*101.6мм |
4,5 ″ * 4,5 ″ 114.3мм*114.3мм |
|||||||
| 0,5 | |||||||||||
| 0,635 | |||||||||||
| 1,0 | |||||||||||
| диаметр (мм) | |||||||||||
| 1,0 |
Φ16 Φ19 |
Φ20 Φ26 |
Φ30 Φ35 |
Φ40 Φ45 |
Φ50 Φ52 |
Φ60 | Φ75 | Φ80 | |||
| 1,2 | |||||||||||
| 1,5 | |||||||||||
| 2,0 | |||||||||||
| 2,5 | |||||||||||
| Диаметр (мм) | Толщина (мм) | ||||
|
2" (50.8мм) 16мм |
3" (76.2мм) ОФ22мм |
4" (100мм) 30мм |
5" (125мм) 42.5мм |
6" (150мм) 47.5мм |
0,385 |
| 0,5 | |||||
| 0,65 | |||||
| 1,0 | |||||
Полируя обслуживание
Наш субстрат АлН может быть отполирован (одиночный и двойной блеск) предварительной машиной которая импортировала
от за рубежом. Керамическая шероховатость поверхности субстрата может достигнуть к 1нм без пористого после быть отполированным.
Совершенно соответствующее для применения прибора небольших спецификаций, высокой точности, связывающ проволокой плотность и хорошую стабильность.
Пакет & доставка
Наши продукты продаются по всему миру, поэтому вы можете быть уверены в том, что производятся наши продукты в целом.