Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

Наименование марки:	zmkj
Номер модели:	4H-N, 4inch
MOQ:	10пкс
цена:	by required
Время доставки:	10-20дайс

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Материал:

кристалл кремниевого карбида

Размер:

4инч

Заявление:

ранг кристалла семени

Резистивность:

0.015~0.028Ω.cm

Тип:

4х-н

Толщина:

1.6мм

Поверхность:

как-отрезок

Ранг:

Продукция

Упаковывая детали:

Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли

Поставка способности:

100pcs/months

Выделить:

Вафли Кристл Sic кремниевого карбида

Вафля кремниевого карбида 4H-N

4" вафля кремниевого карбида

Характер продукции

тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продукции ФИКТИВНЫЕ, субстраты кремниевого карбида для полупроводникового устройства,

подгонянные вафли sic кремниевого карбида толщины 4inch 4H-N кристаллические для ранга кристалла семени 4inch;

Карборунд вафли субстрата SiC кремниевого карбида кристаллический

СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА

Название продукта:

Субстрат кремниевого карбида (SiC) кристаллический

Характер продукции:

2-6inch

Технические параметры:

Клеточная структура	Шестиугольный
Решетка постоянн	= 3,08 Å c = 15,08 Å
Приоритеты	ABCACB (6H)
Метод роста	MOCVD
Направление	Ось роста или частично (° 0001) 3,5
Полировать	Полировать поверхности Si
Bandgap	eV 2,93 (косвенное)
Тип проводимости	N или seimi, особая чистота
Резистивность	0,076 ом-см
Permittivity	e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Термальная проводимость @ 300K	5 с см. K
Твердость	9,2 Mohs

Спецификации:

6H N типа 4H N типа полу-изолируя dia2 «x0.33mm, dia2» x0.43mm, dia2 '' x1mmt, ход 10x10mm, 10x5mm одиночный или двойной ход, Ра <10a>

Стандартная упаковка:

чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки

Применение кремниевого карбида в индустрии прибора силы

Сравненный с приборами кремния (Si), приборы силы кремниевого карбида (SiC) могут эффектно достигнуть высокой эффективности, миниатюризации и легковеса систем силы электронных. Потери энергии приборов силы кремниевого карбида только 50% из этого из приборов Si, тепловыделение только 50% из этого из приборов кремния, и он имеет более сильнотоковую плотность. На таком же уровне силы, том модулей силы кремниевого карбида значительно более небольшой чем это из модулей силы кремния. Принимать умному модулю силы IPM в качестве примера, используя приборы силы кремниевого карбида, том модуля можно уменьшить до 1/3 к 2/3 из модулей силы кремния.

3 типа диодов силы кремниевого карбида: Диоды Schottky (SBD), диоды PIN и диоды Schottky управлением барьера соединения (JBS). Сбор к барьеру Schottky, SBD имеет более низкую высоту барьера соединения, поэтому SBD имеет преимущество низкого пропускного напряжения. Появление SBD кремниевого карбида увеличило ряд применения SBD от 250V к 1200V. В то же время, свои высокотемпературные характеристики хороши, от комнатной температуры к 175°C ограничивались раковиной, повышениями обратной утечки настоящими едва ли. В области применения выпрямителей тока над 3kV, PiN кремниевого карбида и диоды кремниевого карбида JBS привлекали внимание должное к их более высокому пробивному напряжению, более быстро переключая скорости, более небольшому тому и более светлому весу чем выпрямители тока кремния.

Приборы MOSFET силы кремниевого карбида имеют идеальное сопротивление вентильного провода, высокоскоростное переключая представление, низкое на-сопротивление и высокую стабильность. Предпочитаемый прибор в поле приборов силы под 300V. Сообщено что MOSFET кремниевого карбида с преграждая напряжением тока 10kV успешно был развит. Исследователи считают, что MOSFET кремниевого карбида займет преимущественную ситуацию в поле 3kV к 5kV.

Изолированные кремниевым карбидом транзисторы ворот двухполярные (SiC BJT, SiC IGBT) и тиристоры кремниевого карбида (тиристор) SiC, приборы кремниевого карбида P типа IGBT с преграждая напряжением тока 12kV имеют хорошую возможность пропускного тока. На-сопротивление приборов кремниевого карбида IGBT может идет в сравнение с униполярные приборы силы кремниевого карбида. Сравненный с транзисторами Si двухполярными, транзисторы SiC двухполярные имеют 20-50 раз понизить переключая потери и более низкое падение напряжения тока кондукции. Кремниевый карбид BJT главным образом разделен в эпитаксиальный излучатель и имплантированный ионом излучатель BJT, и типичное настоящее увеличение между 10-50.

Кремниевый карбид SiC Si кремния блока представления Нитрид GaN галлия

EV зазора диапазона 1,12 3,26 3,41

Электрическое поле MV/cm 0,23 нервного расстройства 2,2 3,3

Подвижность электрона cm^2/Vs 1400 950 1500

Перемещайтесь скорость 10^7 cm/s 1 2,7 2,5

Термальная проводимость W/cmK 1,5 3,8 1,3

2. субстраты определяют размер стандарта

спецификация субстрата кремниевого карбида 4 дюймов диаметра (SiC)
Ранг		Нул рангов MPD	Ранг продукции	Ранг исследования	Фиктивная ранг
Диаметр		100,0 mm±0.5 mm
Толщина		350 μm±25μm (толщина 200-2000um также в порядке)
Ориентация вафли		С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4H-N
Плотность Micropipe		см-2 ≤1	см-2 ≤5	см-2 ≤15	см-2 ≤50
Резистивность	4H-N	0.015~0.028 Ω•см
	6H-N	0.02~0.1 Ω•см
	4/6H-SI	≥1E5 Ω·см
Основная квартира и длина		{10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 mm
Вторичная плоская длина		18.0mm±2.0 mm
Вторичная плоская ориентация		Кремний лицевой: 90° CW. от основного плоского ±5.0°
Исключение края		3 mm
TTV/Bow /Warp		≤15μm/≤25μm/≤40μm
Шершавость		Польское Ra≤1 nm, CMP Ra≤0.5 nm
Отказы светом высокой интенсивности		Никакие		1 позволенный, ≤2 mm	Кумулятивное ≤ 10mm длины, одиночное length≤2mm

Плиты наговора светом высокой интенсивности		Кумулятивная область ≤1%		Кумулятивная область ≤1%	Кумулятивная область ≤3%
Зоны Polytype светом высокой интенсивности		Никакие		Кумулятивная область ≤2%	Кумулятивная область ≤5%
Царапины светом высокой интенсивности		3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной		5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной	5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной
обломок края		Никакие		3 позволенного, ≤0.5 mm каждое	5 позволенных, ≤1 mm каждое
Загрязнение светом высокой интенсивности		Никакие

Вафля Sic & слитки 2-6inch и другой подгонянный размер также смогите быть обеспечено.

дисплей детали 3.Products

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл 0

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл 1

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл 2

Доставка & пакет

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл 3

вопросы и ответы

Q1. Ваша компания фабрика или торговая компания?

Мы фабрика и мы также можем сделать экспорт.

Q2.Is вы работа компании единственная с делом sic?

да; однако мы не растем кристалл sic собственной личностью.

Q3. Смогли вы поставить образец?

Да, мы можем поставить образец сапфира согласно требованию к клиента.

Q4. Вы имеете запас вафель sic?

мы обычно держим некоторые вафли sic нормального размера от вафель 2-6inch в запасе.

Q5.Where ваша компания обнаружена местонахождение?

Наша компания расположенная в Шанхае, Китае.

Q6. Сколько времени примет для того чтобы получить продукты?

Вообще оно будет принимать 3~4 недели для обработки. Он зависеть от количества и размера продуктов.

Бирки:

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs