резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic

Характер продукции:

От перспективы терминального прикладного уровня, материалы кремниевого карбида имеют широкий диапазон применений в высокоскоростном рельсе, автомобильной электронике, умных решетках, фотовольтайческих инверторах, промышленном электро-механическом, центрах данных, полотняных товарах, бытовой электронике, сообщении 5G, дисплеях следующего поколени, и других полях, с огромным потенциалом рынка.

По отоношению к применению, оно разделено в низшее напряжение, среднее напряжение тока, и высоковольтные поля:

Поле низшего напряжения
Главным образом целящся некоторая бытовая электроника, как PFC и электропитание; Например, Xiaomi и Huawei запускали быстрые заряжатели используя приборы нитрида галлия.

Среднее поле напряжения тока
Главным образом в системах автомобильной электроники и перехода и энергосистемы рельса с напряжением тока сверх 3300V. Например, Tesla было самым предыдущим автомобильным изготовителем для использования приборов кремниевого карбида, используя модельные 3.
В поле средства и низшего напряжения, кремниевый карбид имеет очень зрелые диоды и продукты MOSFET которые повышаются и прикладываются в рынке.

Высоковольтное поле
Кремниевый карбид имеет уникальные преимущества. Но до сих пор, нет освоенного изделия запущенного в высоковольтное поле, и мир в этапе научных исследований и разработки.
Электротранспорты самый лучший сценарий применения для кремниевого карбида. Модуль электрического привода Тойота (компонент ядра электротранспортов) уменьшает том приборов кремниевого карбида 50% или больше сравненных к IGBTs основанному кремнием, и плотность энергии также гораздо выше чем это из кремния основало IGBTs. Это также причина, по которой много изготовителей клонят использовать кремниевый карбид, который может оптимизировать план компонентов в автомобиле и сохранить больше космоса.

Особенности:

Технические параметры:

4H-SiC* и 6H-SiC ** имейте различные размеры выстраивая в ряд от 50.8mm (2") до 200mm (8 дюймов). По отношению к типу и dopant, они оба из N/Nitrogen и внутреннеприсущего типа HPSI. 4H-SiC* имеет ряд резистивности 0,015 до 0,028 ohm*cm тогда как 6H-SiC ** имеет гораздо больше резистивность ohm*cm >1E7. Толщина обоих рядов от 250um к 15,000um (15mm) и они оба имеют одиночную/двойную сторону отполированный финиш поверхности. Штабелировать последовательность 4H-SiC* следовать ABCB пока это из 6H-SiC ** следовать ABCACB. Диэлектрическая константа 4H-SiC* 9,6 и это из из 6H-SiC ** 9,66. Как для подвижности электрона, 4H-SiC* имеет счет 800 cm2/V*S пока 6H-SiC ** немножко ниже на 400 cm2/V*S. Последний но не менее важный, их плотности эти же на 3,21 · 103 kg/m3.

Применения:

Субстрат ZMSH SIC010 SiC плиты высокоточные изготовленные на заказ размера для различных применений. Он сделан материала кремниевого карбида (SiC), с диэлектрической константой 9,7, весьма - низкой шероховатостью поверхности Ra1000MPa<0>, делая его идеальным для польз с весьма точностью и требуя условиям. Он идеален для вырезывания лазера, по мере того как он может поддерживать высокий уровень точности и качества. Это аттестованное RoHS уступчивое и доступно в количествах минимального заказа 10 частей. Цена определена в зависимости от конкретного случая, с изготовленными на заказ пластиковыми коробками для упаковки. Срок поставки 30 дней и оплата принята через T/T. ZMSH может поставить до 1000 частей в месяц.

Изготовление на заказ:

Поддержка и обслуживания:

Мы совершены к обеспечивать наших клиентов с самыми лучшими службой технической поддержки и обслуживаниями для продуктов субстрата SiC. Наш знающий штат всегда доступен для того чтобы ответить вопросы и обеспечить наведение. Мы стремимся обеспечить что наши клиенты имеют доступ к самым последним информации и ресурсам, который нужно помочь им в делать информированные решения. Мы также обеспечиваем разнообразие обслуживания, как помощь дизайна, прототипирование, изготовление на заказ, и больше.

Наша команда специалистов всегда доступна обеспечить службу технической поддержки и совет. Мы понимаем важность эксплуатационных характеристик продукта и надежности и будем работать с нашими клиентами для обеспечения что их потребностямы отвечаны. Мы также обеспечиваем обучение и образование на пользе продуктов субстрата SiC.

Мы предназначены к обеспечивать высокий уровень технического обслуживания для наших клиентов. Наша цель убеждаться что наши клиенты имеют положительный опыт и удовлетворяется с нашими продуктами и услуга.