![]() |
6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD2023-07-19 17:30:27 |
![]() |
Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия2022-08-02 11:43:29 |
![]() |
GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма2023-07-13 14:46:03 |