Отправить сообщение
ПРОДУКТЫ
ПРОДУКТЫ
Дом > ПРОДУКТЫ > Вафля нитрида галлия > 10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

Детали продукта

Место происхождения: КИТАЙ

Фирменное наименование: zmsh

Сертификация: ROHS

Номер модели: Вафля 6INCH GaAs

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 10pcs

Цена: by case

Упаковывая детали: Фильм ЛЮБИМЦА в комнате чистки 100 рангов

Время доставки: 1-4weeks

Поставка способности: 500pcs/month

Получите самую лучшую цену
Выделить:

вафля нитрида галлия 2inch

,

Субстрат GaAS окиси галлия

,

Fe дал допинг вафле нитрида галлия

Применение:
Высокомощная электроника
метод:
CZ
Размер:
2inch~6inch
Поверхность:
cmp/вытравленный
данный допинг:
Fe-данный допинг
MOQ:
10pcs
Ранг:
ранг исследования/фиктивная ранг
Применение:
Высокомощная электроника
метод:
CZ
Размер:
2inch~6inch
Поверхность:
cmp/вытравленный
данный допинг:
Fe-данный допинг
MOQ:
10pcs
Ранг:
ранг исследования/фиктивная ранг
10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaO окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

ориентация субстрата 100 GaO окиси галлия 10x15mm

структура моноклиналя субстрата окиси галлия 10x10mm


------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Субстрат GaO ссылается на субстрат сделанный из окиси галлия (GaO), которая широкий-bandgap материал полупроводника с много потенциальных применений в электронике, оптической электронике, и приборах силы. Субстраты GaO типично использованы как платформа для расти тонкие фильмы других материалов, как нитрид галлия (GaN) или алюминиевая окись галлия (AlGaN), которые использованы в высокопроизводительных электронных и электронно-оптических приборах.

Субстраты GaO предлагают несколько преимуществ над другими материалами субстрата, как сапфир и кремниевый карбид. Например, GaO имеет более высокую термальную проводимость чем сапфир, который учитывает лучшее тепловыделение в высокомощных применениях. К тому же, GaO имеет более высокую диэлектрическую константу чем кремниевый карбид, который может улучшить представление интегральных схема.

Однако, субстраты GaO все еще относительно новы и дороги сравненные к другим материалам субстрата, которые ограничивали их широко распространенное принятие в индустрии. Однако, ожидано, что улучшают производственные процессы и уменьшают продолжающийся деятельности при научных исследований и разработки цену субстратов GaO, которые смогли привести к увеличенному принятию в различных применениях.

Применение

Субстраты GaO имеют широкий диапазон потенциальных применений в электронике, оптической электронике, и приборах силы. Некоторые примеры применений где были использованы или были предложены субстраты GaO включают:

1. Высокомощная электроника: Субстраты GaO можно использовать как платформа для расти фильмы GaN и AlGaN, которые использованы в высокомощных электронных устройствах как усилители силы и переключатели радиочастоты.

2. УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЕ светоизлучающие диоды (СИД): Субстраты GaO можно использовать для того чтобы вырасти высококачественные фильмы AlGaN, могущие понадобиться для того чтобы сделать УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ СИД для применений как очистка воды и стерилизация.

3. Фотоэлементы: Субстраты GaO можно использовать для того чтобы вырасти тонкие фильмы медного селенида галлия индия (СИГАРЕТ) и других материалов используемых в фотоэлементах. Проводимость GaO высокая термальная может помочь улучшить эффективность фотоэлементов путем рассеивать жару более эффектно.

4. Производительность электроники: Субстраты GaO можно использовать как платформа для растя фильмов окиси галлия, которые использованы в приборах производительности электроники как переключатели мощности и инверторы.

5. Оптическая электроника: Субстраты GaO можно использовать для того чтобы вырасти высококачественные фильмы различных материалов используемых в электронно-оптических приборах, как СИД, лазеры, и фотодетекторы.

Эти как раз немного примеров потенциальных применений субстратов GaO. По мере того как научные исследования и разработки в этой области продолжаются, правоподобно что новые и новаторские применения вытекут.

Деталь спецификации
Ориентация 100 100 100
Давать допинг UID Mg Fe
электрический параметр
1×1017~3×1018cm-3
≥1010Ω·см
≥1010Ω·см
arcsec
≤150 ≤150 ≤150
плотность дислокации см-2 <1×105 см-2 <1×105 см-2 <1×105


О НАШЕМ ZMKJ

ZMKJ размещает в городе Шанхая, который самый лучший город Китая, и наша фабрика основана
в городе Wuxi в 2014.We специализируйте в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты
и custiomized оптически стекло parts.components широко используемое в электронике, оптике,
оптическая электроника и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных
и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты
и обслуживания для их проектов НИОКР.
Родственные продукты: вафля сапфира
10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг 0
Упаковка – Logistcs
Заботы Worldhawk по каждому детализируют пакета, чистки, противостатической, шоковой терапии.
Согласно количеству и форме продукта, мы примем различный упаковывая процесс!
вопросы и ответы –
Q: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы принимаем DHL, Federal Express, TNT, UPS, EMS, SF и FOB
и состояние оплаты депозита 50%, 50% перед доставкой.
Q: Что срок поставки?
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 рабочей недели после заказа.

Q: Что MOQ?
(1) для инвентаря, MOQ 5pcs.
(2) для подгонянных продуктов, MOQ 10pcs-30pcs.
Q: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.

Аналогичные продукты