Подложка SiC 10×10 мм типа 4H-N: технический обзор и применение Высокопроизводительное полупроводниковое решение для современной электроники 1. Обзор продукта Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H...Взгляд больше
Сообщения посетителяВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
Пока нет комментариев
Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники