Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Высокопроизводительное полупроводниковое решение для современной электроники

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N размером 10×10 мм.представляет собой высокопроизводительный полупроводниковый материал, основанный на технологии SiC третьего поколения. Изготовлено черезФизический перенос паров (PVT)илиВысокотемпературное химическое осаждение из паровой фазы (HTCVD), он обладает исключительными термическими, электрическими и механическими свойствами. С размерным допуском±0,05 мми шероховатость поверхностиRa < 0,5 нм, он идеально подходит для прототипирования силовых устройств, радиочастотных компонентов и оптоэлектронных систем. Субстрат доступен в4H-SiCили6H-SiCполитипы с вариантами легирования N-типа или P-типа и проходят строгие проверки качества (например, XRD, оптическая микроскопия), чтобы гарантировать надежность полупроводникового уровня.

Таблица 1. Основные параметры подложки SiC типа 4H-N размером 10 × 10 мм.

• Превосходное управление температурным режимом: С теплопроводностью490 Вт/м·К(в 3 раза выше, чем у кремния), подложка обеспечивает эффективное рассеивание тепла, снижает рабочую температуру устройства и увеличивает срок службы системы.

• Допуск высокого напряжения: Пробойная напряженность поля2–4 МВ/см(в 10 раз выше, чем у кремния) поддерживает приложения с высокой мощностью, а высокая скорость дрейфа насыщения электронов (2×10⁷ см/с) приносит пользу высокочастотным конструкциям.

• Механическая прочность: Твердость по Виккерсу28–32 ГПаи прочность на изгиб >400 МПаобеспечивают в 5–10 раз больший срок службы, чем традиционные материалы.

• Экологическая стабильность: Рабочая температура до600°Си низкий коэффициент теплового расширения (4,0×10⁻⁶/К) обеспечивают работоспособность в экстремальных условиях.

Таблица 2. Основные области применения подложек SiC размером 10×10 мм.

• Геометрия: круглые, прямоугольные или определяемые пользователем формы.

• Допинг: N-тип или P-тип с концентрациями отОт 10¹⁵ до 10¹⁹ см⁻³.

• Толщина: 100–500 мкм, с дополнительной металлизацией задней стороны для улучшения интеграции.

Подложка SiC типа 4H-N размером 10×10 мм сочетает в себе передовые свойства материала с гибкостью конструкции, что делает ее критически важным фактором для создания электроники нового поколения в автомобильных, коммуникационных и энергетических системах. Его совместимость с высокотемпературными, высокочастотными и мощными приложениями делает его краеугольным камнем инноваций в области полупроводников.

Теги: #SiC #4H-SiC #PowerElectronics #Semiconductor #Wafer #10x10mm #ThermalManagement