![]() |
Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD2023-04-26 13:50:08 |
![]() |
8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N2025-07-28 15:29:25 |
![]() |
Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов2025-05-26 11:39:21 |