Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596
Дом > ПРОДУКТЫ > Вафля нитрида галлия >
GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций
  • GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций
  • GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций
  • GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций

GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций

Место происхождения Китай
Фирменное наименование ZMSH
Сертификация ROHS
Номер модели теплоотвод
Детали продукта
Материал:
GaN-ON-Даймонд
Толщина:
0~1мм
Размер:
~2inch
Термальная проводимость:
>1200Вт/м.к
Ра:
<1нм
Преимущество1:
Высокая теплопроводность
Преимущество:
Устойчивость к коррозии
Твердость:
81±18 ГПа
Высокий свет: 

GaN на вафле диаманта

,

Эпитаксиальный HEMT GaN на диаманте

,

Вафля диаманта 2 дюймов

Характер продукции

 

customzied вафли теплоотвода GaN&Diamond метода размера MPCVD для термальной зоны управления

 

GaN широко использовано в полях радиочастоты, быстро поручать и другого, но свои представление и надежность связаны с температурой на канале и efiect джоуля нагревая. Обыкновенно используемые материалы субстрата (сапфир, кремний, кремниевый карбид) основанных на GaN приборов силы имеют низкую термальную проводимость. Она значительно ограничивает тепловыделение и высокомощные требования производительности прибора. Полагающся только на традиционных материалах субстрата (кремнии, кремниевом карбиде) и пассивной охлаждая технологии, трудно соотвествовать тепловыделения под условиями наивысшей мощности, строго ограничивая отпуск потенциала основанных на GaN приборов силы. Исследования показывали что диамант может значительно улучшить пользу основанных на GaN приборов силы. Существуя термальные проблемы влияния.

Диамант имеет широкий зазор диапазона, высокую термальную проводимость, высокую прочность поля нервного расстройства, высокую подвижность несущей, высокотемпературное сопротивление, сопротивление кислоты и алкалиа, коррозионную устойчивость, сопротивление радиации и другие главные свойства
Наивысшая мощность, частота коротковолнового диапазона, высокотемпературные поля играет важную роль, и рассмотрена как один из самых многообещающих широких материалов полупроводника зазора диапазона.


Диамант супер материал тепловыделения с превосходным представлением:
• Диамант имеет самую высокую термальную проводимость любого материала на комнатной температуре. И жара веская причина электронной поломки товара.

 

Согласно статистике, температура рабочего спая термопары упадет низко 10 ° c может удвоить жизнь прибора. Термальная проводимость диаманта 3 до 3 более высокие чем это из общих термальных материалов управления (как нитрид алюминия меди, кремниевого карбида и)
10 раз. В то же время, диамант имеет преимущества легковеса, электрической изоляции, механической прочности, низкой токсичности и низкая диэлектрическая константа, которая делает диамант, превосходный выбор материалов тепловыделения.


• Дайте полную игру своиственному термальному представлению диаманта, которое легко разрешит проблему «тепловыделения» смотреть на электронными силой, приборами силы, etc.

На томе, улучшите надежность и увеличить плотность мощности. Как только «термальная» проблема разрешена, полупроводник также значительно будет улучшен эффектно улучшать представление термального управления,
Срок службы и сила прибора, в то же время, значительно уменьшить производственные затраты.

 


Метод комбинации

  • 1. Диамант на GaN
  • Растя диамант на структуре HEMT GaN
  • 2. GaN на диаманте
  • Сразу эпитаксиальный рост структур GaN на субстрате диаманта
  • 3. GaN/выпуск облигаций диаманта
  • После того как HEMT GaN подготовлен, выпуск облигаций передачи к субстрату диаманта

Зона применения

• Связь радиочастоты 5G микроволны, предупреждение радиолокатора, спутниковая связь и другие применения;

• Решетка производительности электроники умная, переход высокоскоростного рельса, новые корабли энергии, бытовая электроника и другие применения;

Света СИД оптоэлектроники, лазеры, фотодетекторы и другие применения.

 

Диамант на GaN

Мы используем оборудование низложения химического пара плазмы микроволны для того чтобы достигнуть эпитаксиального роста поликристаллического материала диаманта с толщиной <10um on="" a="" 50=""> (HEMT нитрида галлия 2 дюймов) основанный на кремни. Просматривая электронный кинескоп и дифрактометр рентгеновского снимка были использованы для того чтобы характеризовать поверхностное словотолкование, кристаллическое качество, и ориентацию зерна фильма диаманта. Результаты показали что поверхностное словотолкование образца было относительно равномерно, и зерна диаманта по существу показали (больной) плоский рост. Более высокая ориентация плоскости кристалла. Во время процесса роста, нитрид галлия (GaN) эффектно предотвращен от быть вытравленным плазмой водопода, так, что характеристики GaN перед и после покрытием диаманта не изменят значительно.

GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций 0

 

 

GaN на диаманте

В GaN на эпитаксиальном росте диаманта, CSMH использует особенный процесс для того чтобы вырасти AlN

AIN как эпитаксиальный слой GaN. CSMH в настоящее время имеет продукт доступный

Epi-готовый-GaN на диаманте (AIN на диаманте).

 

Выпуск облигаций GaN/диаманта

 

Технические индикаторы теплоотвода диаманта CSMH и на уровне вафл продуктов диаманта достигали уровень мира ведущий. Шероховатость поверхности на уровне вафл поверхности роста диаманта Ra_2000W/m.K. Путем скреплять с GaN, температуру прибора можно также эффектно уменьшить, и стабильность и жизнь прибора можно улучшить.

 

 

GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций 1GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций 2GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций 3

 

Порекомендованные продукты

Свяжитесь мы в любое время

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, бульвар Dianshanhu, зона Qingpu, город Шанхая, КИТАЙ
Отправьте ваше дознание сразу в нас