logo
ПРОДУКТЫ
ПРОДУКТЫ
Дом > ПРОДУКТЫ > Субстрат SiC > Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок

Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок

Детали продукта

Место происхождения: Китай

Фирменное наименование: ZMSH

Сертификация: rohs

Номер модели: Плита-носитель SiC

Условия оплаты и доставки

Цена: by case

Время доставки: 2-4weeks

Условия оплаты: T/T

Получите самую лучшую цену
Выделить:

Плита-носитель с высокой чистотой SiC-покрытия

,

Трансферная SiC-покрытая несущая пластина

,

Покрытая SiC пластинка для обработки пластин

Плотность:
3.21 г/см
Специфическая температура:
0.66 J/g °K
Прочность перелома:
20,94 МПа м1/2
Твердость:
2800
Размер зерна:
2 - 10 мкм
Заявления:
Производство полупроводников, производство светодиодов
Плотность:
3.21 г/см
Специфическая температура:
0.66 J/g °K
Прочность перелома:
20,94 МПа м1/2
Твердость:
2800
Размер зерна:
2 - 10 мкм
Заявления:
Производство полупроводников, производство светодиодов
Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок

 

Аннотация к материалу

 

Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок

 

 

SiC Carrier Plate (SiC Carrier Plate) - это высокопроизводительный керамический компонент, широко используемый в передовых секторах производства, таких как полупроводники, светодиоды и электроника мощности.Известный своей исключительной теплостойкостью, высокая теплопроводность, низкое тепловое расширение и превосходная механическая прочность, это идеальное решение для высокотемпературных процессов.включая дизайн, производство, тестирование и послепродажная поддержка, обеспечивая оптимальную производительность и надежность для обработки пластинок, эпитаксиального роста и других критических приложений.

 

 


 

Техническая спецификация:

 

 

Недвижимость Стоимость Метод
Плотность 3.21 г/см Плавучий раковины и размер
Специфическое тепло 0.66 J/g °K Импульсная лазерная вспышка
Прочность на изгибе 450 МПа560 МПа 4 точки изгиба, RT4 точка изгиба, 1300°
Прочность на перелом 20,94 МПа м1/2 Микропроницаемость
Твердость 2800 Викерс, 500 грамм
Эластичный модуль Молодой модуль 450 ГПа430 ГПа Сгибание 4 pt, RT4 pt, 1300 °C
Размер зерна 2 ¢ 10 мкм SEM

 

 


 

Основные особенностиПлита-носитель SiC

Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок 0

 

1.Устойчивость к сверхвысоким температурамСтабильная работа до 1650°C, идеально подходит для CVD, MOCVD и других процессов высокой температуры.

 

2.Высшее тепловое управлениеТеплопроводность 120-200 Вт/м·К обеспечивает быстрое рассеивание тепла и минимизирует тепловое напряжение.

 

3.Низкое тепловое расширение(4.3×10−6/K) Высокая размерная устойчивость при высоких температурах, предотвращающая неправильное выравнивание или трещины пластины.

 

4.Высокая твердость и износостойкостьСкромность Моха 9.2, значительно превосходящий кварц и графит, продлевает срок службы.

 

5.Химическая инертность- Устойчив к кислотам, щелочам и эрозии плазмы, подходит для суровой среды.

 

6.Высокая чистота и без загрязненияУровень примесей металлов < 1 ppm, соответствующий стандартам чистоты полупроводников.

 

 


 

Основные примененияПлита-носитель SiC

- Что?

· Производство полупроводниковЭпитаксии вафли (GaN/SiC), носители реакционной камеры СВД.

 

· Производство светодиодовПоддерживает сапфировые субстраты для равномерного роста MOCVD.

 

· Электротехника

 

· Усовершенствованная упаковка√ Прецизное размещение и лазерная обработка подложки.

 

 


 

Совместимость процессов, материалов и применений

 
 
Категория Положение Описание
Совместимость процессов Высокотемпературная эпитаксия Совместима с эпитаксиальным ростом GaN/SiC (> 1200°C)
Плазменные среды Устойчив к радиочастотным/микроволновым плазменным бомбардировкам для резных систем
Быстрый тепловой цикл Отличная термоупорность при повторном нагревании/охлаждении
Виды материалов Си-Си-Си (RBSiC) с реакционными связями Экономично эффективно для промышленных применений
Химическое осаждение парами SiC (CVD-SiC) Ультравысокая чистота (> 99,9995%) для полупроводниковых процессов
Горяче-прессованный SiC (HPSiC) Высокая плотность (>3,15 г/см3) для тяжелых вафровых грузов
Основные функции Обработка и фиксация пластин Укрепляет пластинки без скольжения при высоких температурах
Тепловая однородность Оптимизирует распределение температуры для эпитаксиального роста
Альтернатива графиту Устраняет риск окисления и загрязнения частицами

 

 


 

ПродуктыПлита-носитель SiC

 

ZMSH предлагает комплексные решения для карбидных пластин (SiC), предлагая индивидуальные услуги по проектированию с индивидуальными размерами, диафрагмой,и поверхностные обработки, включая зеркальное полирование и специализированные покрытия, точное изготовление с использованием процессов CVD/RBSiC, которые поддерживают строгую консистенцию партии в пределах ± 0,05 мм, строгие протоколы контроля качества,ускоренная доставка прототипа с 72-часовым сроком обработки, и глобальная техническая поддержка с 24/7 отзывчивостью, обеспечивая клиентам высокопроизводительные продукты с исключительной однородностью и надежностью для их критических приложений.

 

 

 

Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок 1Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок 2

 

 


 

Вопросы и ответы

 

 

1. Вопрос: Какова максимальная температура для пластин-носителей SiC?
A: SiC-носительные пластины выдерживают непрерывную работу до 1650 °C, идеально подходят для эпитаксиального роста полупроводников и высокотемпературной обработки.

 

 

2. Вопрос: Почему вместо графита используется СиК для носителей пластин?
Ответ: SiC предлагает нулевую генерацию частиц, 10 раз более длительный срок службы и лучшую устойчивость к плазме, чем графитные носители.

 

 


Тег: #SiC Carrier Plate, #SiC Coated, #SiC Tray, #High-Purity SiC, #High-Purity Silicon Carbide, #Custom, #Wafer Handling and Transfer. #SiC Carrier Plate, #SiC Coated, #SiC Coated, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #SiC Tray, #Custom, #Custom, #Custom, #Custom, #Custom, #Cust

 

 

 

Аналогичные продукты