logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC MOSFET Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [SiC MOSFET ]

  совпадение  

80

  ПРОДУКТЫ
Купить 2-дюймовый Сик субстрат 6H-N Тип толщины 350 мм 650 мм Сик вафель Производство в сети

2-дюймовый Сик субстрат 6H-N Тип толщины 350 мм 650 мм Сик вафель

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники Производство в сети Видео

Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования Производство в сети

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности Производство в сети

4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый до 12-дюймового 4H-N типа Кремниевого карбида. Производство в сети

2-дюймовый до 12-дюймового 4H-N типа Кремниевого карбида.

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности Производство в сети

12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовая 300-мм 4H-N 6H-N пластина из карбида кремния (SiC) монокристаллического кремния для силовых приборов и светодиодов Производство в сети

12-дюймовая 300-мм 4H-N 6H-N пластина из карбида кремния (SiC) монокристаллического кремния для силовых приборов и светодиодов

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм Производство в сети

2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм

Получите самую лучшую цену
Купить субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой Производство в сети

субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой

Получите самую лучшую цену
Купить Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC) Производство в сети

Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC)

Получите самую лучшую цену
Купить резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic Производство в сети

резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным Производство в сети Видео

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм Производство в сети

2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм

Получите самую лучшую цену
Купить ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная Производство в сети

ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная

Получите самую лучшую цену
Купить 12 дюймов Диаметр 300 мм SIC субстрат эпитаксиальная полированная вафель Кремниевой карбид Ингот Прайм-класс 4H-N Тип проводящий солнечный фотоэлектрический Производство в сети

12 дюймов Диаметр 300 мм SIC субстрат эпитаксиальная полированная вафель Кремниевой карбид Ингот Прайм-класс 4H-N Тип проводящий солнечный фотоэлектрический

Получите самую лучшую цену
Купить 10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC Производство в сети Видео

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
Хорошая цена 10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC MOSFET Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ SiC MOSFET ]  совпадение 80 ПРОДУКТЫ
Купить SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N Производство в сети Видео

SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс Производство в сети

12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс Производство в сети

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену
Купить Сик печь синтеза сырья 50 кг сопротивление приготовление высокой чистоты Сик кристалл Производство в сети

Сик печь синтеза сырья 50 кг сопротивление приготовление высокой чистоты Сик кристалл

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства Производство в сети

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену
Купить 2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс Производство в сети

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс

Получите самую лучшую цену
Купить Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств Производство в сети

Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый Сик субстрат 6H-N Тип толщины 350 мм 650 мм Сик вафель Производство в сети

2-дюймовый Сик субстрат 6H-N Тип толщины 350 мм 650 мм Сик вафель

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники Производство в сети Видео

Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования Производство в сети

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности Производство в сети

4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7