logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC MOSFET Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [SiC MOSFET ]

  совпадение  

75

  ПРОДУКТЫ
Купить 6 дюймовый ультравысоковольтный Си-Си эпитаксиальный пластинка 100 500 мкм для MOSFET устройств Производство в сети

6 дюймовый ультравысоковольтный Си-Си эпитаксиальный пластинка 100 500 мкм для MOSFET устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс Производство в сети

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить Кристаллические семена SiC Dia 205 203 208 Уровень производства PVT/HTCVD рост Производство в сети

Кристаллические семена SiC Dia 205 203 208 Уровень производства PVT/HTCVD рост

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс Производство в сети

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G Производство в сети

6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети Видео

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime Производство в сети

4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети Видео

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов Производство в сети

Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов

Получите самую лучшую цену
Купить 4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS Производство в сети

4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS

Получите самую лучшую цену
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить 6-дюймовая подложка 4H-SEMI SiC для AR-очков и устройств 5G RF Производство в сети

6-дюймовая подложка 4H-SEMI SiC для AR-очков и устройств 5G RF

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм Производство в сети

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств Производство в сети

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm Производство в сети

4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
Хорошая цена 4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC MOSFET Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ SiC MOSFET ]  совпадение 75 ПРОДУКТЫ
Купить 6 дюймовый ультравысоковольтный Си-Си эпитаксиальный пластинка 100 500 мкм для MOSFET устройств Производство в сети

6 дюймовый ультравысоковольтный Си-Си эпитаксиальный пластинка 100 500 мкм для MOSFET устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс Производство в сети

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить Кристаллические семена SiC Dia 205 203 208 Уровень производства PVT/HTCVD рост Производство в сети

Кристаллические семена SiC Dia 205 203 208 Уровень производства PVT/HTCVD рост

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс Производство в сети

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G Производство в сети

6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети Видео

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime Производство в сети

4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети Видео

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов Производство в сети

Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов

Получите самую лучшую цену
Купить 4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS Производство в сети

4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS

Получите самую лучшую цену
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7