logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC MOSFET Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [SiC MOSFET ]

  совпадение  

75

  ПРОДУКТЫ
Купить Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень Производство в сети

Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Толщина 350мм 500мм Си Си пластинка Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

2 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Толщина 350мм 500мм Си Си пластинка Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость Производство в сети Видео

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридного осаждения Производство в сети

4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридного осаждения

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N Производство в сети Видео

SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс Производство в сети

12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить Машина для резки алмазной проволоки Производство в сети

Машина для резки алмазной проволоки

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс Производство в сети

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену
Купить Сик печь синтеза сырья 50 кг сопротивление приготовление высокой чистоты Сик кристалл Производство в сети

Сик печь синтеза сырья 50 кг сопротивление приготовление высокой чистоты Сик кристалл

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства Производство в сети

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену
Купить 2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс Производство в сети

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс

Получите самую лучшую цену
Купить Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств Производство в сети

Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования Производство в сети

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
Хорошая цена Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC MOSFET Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ SiC MOSFET ]  совпадение 75 ПРОДУКТЫ
Купить 6-дюймовая подложка 4H-SEMI SiC для AR-очков и устройств 5G RF Производство в сети

6-дюймовая подложка 4H-SEMI SiC для AR-очков и устройств 5G RF

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм Производство в сети

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств Производство в сети

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm Производство в сети

4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень Производство в сети

Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Толщина 350мм 500мм Си Си пластинка Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

2 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Толщина 350мм 500мм Си Си пластинка Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость Производство в сети Видео

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридного осаждения Производство в сети

4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридного осаждения

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N Производство в сети Видео

SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс Производство в сети

12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7