logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC MOSFET Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [SiC MOSFET ]

  совпадение  

80

  ПРОДУКТЫ
Хорошая цена онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC MOSFET Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ SiC MOSFET ]  совпадение 80 ПРОДУКТЫ
Купить 4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники Производство в сети Видео

4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2

Силициевый карбид SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° В сторону производства Производство в сети

Силиконовый карбид Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° В сторону производства

Получите самую лучшую цену
Купить Сик растительная печь PVT метод 6дюймов 8дюймов 12 дюймов низкое потребление энергии Производство в сети

Сик растительная печь PVT метод 6дюймов 8дюймов 12 дюймов низкое потребление энергии

Получите самую лучшую цену
Купить 12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G Производство в сети

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид 4 дюймовый диаметр x 350um 4H-N тип P/R/D класс MOSEFTs/SBD/JBS Производство в сети

Силиконовый карбид 4 дюймовый диаметр x 350um 4H-N тип P/R/D класс MOSEFTs/SBD/JBS

Получите самую лучшую цену
Купить Высококачественные подложки из карбида кремния 4H-N (12-дюймовые/300 мм) для мощных устройств Производство в сети

Высококачественные подложки из карбида кремния 4H-N (12-дюймовые/300 мм) для мощных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора Производство в сети

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовые 6-дюймовые 8-дюймовые 4-H-SiCOI пластинки композитный SiC на изоляторных субстратах Производство в сети

4-дюймовые 6-дюймовые 8-дюймовые 4-H-SiCOI пластинки композитный SiC на изоляторных субстратах

Получите самую лучшую цену
Купить тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства Производство в сети

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену
Купить Алмазно-проволочный станок для резки SiC / сапфира / кремния с тремя станциями и одной проволокой Производство в сети Видео

Алмазно-проволочный станок для резки SiC / сапфира / кремния с тремя станциями и одной проволокой

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия Производство в сети

2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7