logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
Цитата
Хорошая цена Онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. 4H SiC Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [4H SiC ]

  совпадение  

158

  ПРОДУКТЫ
Купить вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC Производство в сети

вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC Производство в сети

330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD Производство в сети

6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры Производство в сети

Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры

Получите самую лучшую цену
Купить 12 дюймовый 300 мм Силиконовый карбидный пластинка 4H-N тип Dummy Prime исследовательский класс Многочисленные приложения Производство в сети

12 дюймовый 300 мм Силиконовый карбидный пластинка 4H-N тип Dummy Prime исследовательский класс Многочисленные приложения

Получите самую лучшую цену
Купить вафли Sic кремниевого карбида 4h-N 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP поверхностные Производство в сети

вафли Sic кремниевого карбида 4h-N 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP поверхностные

Получите самую лучшую цену
Купить Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический Производство в сети Видео

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Получите самую лучшую цену
Купить 5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы Производство в сети

5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы

Получите самую лучшую цену
Купить Прозрачный размер оптически объектива 4H-SEMI Customzied SIC Кристл Производство в сети

Прозрачный размер оптически объектива 4H-SEMI Customzied SIC Кристл

Получите самую лучшую цену
Купить субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой Производство в сети

субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянные плиты обломоков размера 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC Производство в сети

Подгонянные плиты обломоков размера 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма SiC субстрат 330um Толщина 4H-N Тип Производственный класс Производство в сети Видео

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма SiC субстрат 330um Толщина 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить HPSI SiC Wafer 2-12 дюймовый оптический класс для очков AI / AR Производство в сети

HPSI SiC Wafer 2-12 дюймовый оптический класс для очков AI / AR

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянная толщина 1.5mm 4

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm Производство в сети Видео

подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm

Получите самую лучшую цену
Купить 10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC Производство в сети Видео

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
2 3 4 5 6 7 8 9
2 3 4 5 6 7 8 9
Хорошая цена 10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC Онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. 4H SiC Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ 4H SiC ]  совпадение 120 ПРОДУКТЫ
Купить Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники Производство в сети Видео

Силиконовый карбид прямоугольный субстрат SiC чип для передовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um Производство в сети

Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um

Получите самую лучшую цену
Купить 4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина Производство в сети Видео

4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств Производство в сети

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм Производство в сети

4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N SiC субстрат Кремниевый углеродный субстрат Квадрат 5 мм * 5 мм Специализированная толщина 350um Prime Grade / Dummy Grade Производство в сети

4H-N SiC субстрат Кремниевый углеродный субстрат Квадрат 5 мм * 5 мм Специализированная толщина 350um Prime Grade / Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм Производство в сети

2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид семенной пластины типа 4H диа 157±0,5 мм толщина 500±50um монокристаллическая площадь >153 мм Производство в сети

Силиконовый карбид семенной пластины типа 4H диа 157±0,5 мм толщина 500±50um монокристаллическая площадь >153 мм

Получите самую лучшую цену
Купить Си-Си семенной вафли 6 дюймов 8 дюймов 4H-N Тип Производственный класс Дублированный класс для роста Си-Си вафли Производство в сети

Си-Си семенной вафли 6 дюймов 8 дюймов 4H-N Тип Производственный класс Дублированный класс для роста Си-Си вафли

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC Производство в сети

подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель Производство в сети

4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности Производство в сети

12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности

Получите самую лучшую цену
2 3 4 5 6 7 8 9