logo
Хорошая цена  Онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. 4H SiC Онлайн изготовитель
Твой поиск

  [4H SiC ]

  совпадение  

158

  ПРОДУКТЫ

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Получите самую лучшую цену
3 4 5 6 7 8 9 10
3 4 5 6 7 8 9 10
Хорошая цена Силиконовый карбид вафель 6H P-тип и 4H P-тип нулевой MPD производство дублированный класс диа 4 дюймов 6 дюймов Онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. 4H SiC Онлайн изготовитель
Твой поиск  [ 4H SiC ]  совпадение 120 ПРОДУКТЫ

тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты

Получите самую лучшую цену

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену

Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого

Получите самую лучшую цену

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену

12 дюймов Диаметр 300 мм SIC субстрат эпитаксиальная полированная вафель Кремниевой карбид Ингот Прайм-класс 4H-N Тип проводящий солнечный фотоэлектрический

Получите самую лучшую цену

6H-N тип SiC-вафры: 2-дюймовый субстрат, толщина 350μm или 650μm

Получите самую лучшую цену

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену
Купить Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC Производство в сети Видео

Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC

Получите самую лучшую цену

резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид 4 дюймовый диаметр x 350um 4H-N тип P/R/D класс MOSEFTs/SBD/JBS

Получите самую лучшую цену

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

Получите самую лучшую цену

Печь для выращивания слитков SiC использует методы PVT, Lely TSSG и LPE для выращивания больших кристаллов размером 4, 6 и 8 дюймов.

Получите самую лучшую цену
3 4 5 6 7 8 9 10